參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

輕度電離氣體檢測(cè)技術(shù)專題

輕度電離氣體檢測(cè)技術(shù)規(guī)范與應(yīng)用

檢測(cè)項(xiàng)目

輕度電離氣體檢測(cè)主要包括以下核心指標(biāo)：

電離度測(cè)定：量化氣體電離程度，測(cè)量單位體積內(nèi)帶電粒子濃度

氣體成分分析：檢測(cè)O?、N?、Ar等基礎(chǔ)氣體及微量雜質(zhì)占比

電子溫度檢測(cè)：通過(guò)光譜分析推算電子能量分布

離子遷移率檢測(cè)：評(píng)估帶電粒子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)特性

等離子體密度監(jiān)測(cè)：采用微波干涉法測(cè)定電離氣體密度

檢測(cè)范圍

本檢測(cè)技術(shù)主要應(yīng)用于：

半導(dǎo)體制造：晶圓刻蝕工藝中的等離子體監(jiān)控

環(huán)境監(jiān)測(cè)：大氣電離層異常狀態(tài)分析

醫(yī)療設(shè)備：腫瘤治療用等離子發(fā)生裝置質(zhì)控

航空航天：再入大氣層熱防護(hù)系統(tǒng)驗(yàn)證

新能源開(kāi)發(fā)：核聚變裝置第一壁材料測(cè)試

典型檢測(cè)環(huán)境涵蓋10?3~102 Torr壓力范圍，溫度區(qū)間-50℃~3000℃的極端工況

檢測(cè)方法

1. 探針診斷法

采用朗繆爾三探針系統(tǒng)，通過(guò)電流-電壓特性曲線解析等離子體參數(shù)，測(cè)量誤差≤±5%

2. 光譜分析法

運(yùn)用OES（光學(xué)發(fā)射光譜）技術(shù)，檢測(cè)波長(zhǎng)范圍200-1000nm，分辨率達(dá)0.1nm

3. 微波干涉法

使用頻率26.5-40GHz的微波源，通過(guò)相位差計(jì)算電子密度，檢測(cè)限10? cm?3

4. 質(zhì)譜檢測(cè)法

配備四極桿質(zhì)量分析器，質(zhì)量范圍1-300 amu，檢測(cè)靈敏度達(dá)ppb級(jí)

檢測(cè)儀器

技術(shù)挑戰(zhàn)

檢測(cè)過(guò)程中需特別注意：

電磁干擾屏蔽：采用雙層μ-metal磁屏蔽結(jié)構(gòu)

熱輻射補(bǔ)償：使用水冷探針+紅外濾波系統(tǒng)

信號(hào)衰減控制：同軸電纜損耗＜0.5dB/m

真空系統(tǒng)匹配：極限真空度≤5×10?? Pa

數(shù)據(jù)分析

建立多參數(shù)耦合模型：

n_e = (I_ion^2)/(ε?k_BT_eA2) × C 其中： n_e - 電子密度 (m?3) I_ion - 離子電流 (A) T_e - 電子溫度 (eV) A - 探針表面積 (m2) C - 幾何修正系數(shù)

中析儀器 資質(zhì)