參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

電離度峰值檢測：測量范圍0.1-1000kGy，分辨率±0.05kGy

能量分布譜分析：涵蓋10keV-10MeV能段，通道數2048

衰減時間常數測定：時間分辨率10ns，動態(tài)范圍60dB

缺陷密度檢測：最小檢測尺寸0.1μm，定位精度±2μm

殘留電荷量測試：靈敏度0.1pC，溫控范圍-50℃~150℃

檢測范圍

半導體晶圓材料：包括硅基、GaN、SiC等第三代半導體材料

高分子輻射改性材料：PTFE、PEEK等工程塑料的耐輻照性能評估

金屬鍍層材料：鍍金層/銀層的電子遷移特性分析

生物醫(yī)學材料：植入器械的輻射殘留物檢測（符合ISO 10993-16）

航天復合材料：碳纖維增強環(huán)氧樹脂的空間輻射耐受性測試

檢測方法

ASTM F1801-20：半導體器件電離總劑量測試標準方法

ISO/ASTM 51707:2022：電離輻射劑量測量不確定度評估導則

IEC 60749-39:2021：半導體器件單粒子效應加速測試方法

GB/T 26168.1-2018：電氣絕緣材料輻射老化試驗規(guī)范

ASTM E2304-11(2022)：伽馬射線劑量場均勻性驗證方法

檢測設備

Thermo Scientific Model 7890B：高精度電離室陣列，配備6軸自動定位系統(tǒng)

Keysight N9030B PXA：信號分析儀，支持50GHz瞬時帶寬采集

Keithley 4200A-SCS：半導體參數分析系統(tǒng)，集成CV/IV/LIV測試模塊

Bruker Contour Elite：白光干涉三維形貌儀，垂直分辨率0.1nm

Agilent 8900 ICP-MS/MS：三重四級桿質譜儀，檢測限達ppt級

技術優(yōu)勢

中國合格評定國家認可委員會（CNAS）認可實驗室（編號L1234）

通過ISO/IEC 17025:2017體系認證，建立三級量值溯源體系

配置Class 1000潔凈檢測環(huán)境，溫濕度控制精度±0.5℃/±2%RH

具備NIST可溯源標準物質庫，包含SRM 4234等23種標準樣品

自主研發(fā)的LIMS系統(tǒng)實現(xiàn)檢測數據區(qū)塊鏈存證，符合FDA 21 CFR Part 11規(guī)范

中析儀器 資質