參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

塞貝克系數(shù)測(cè)定：ΔV/ΔT梯度測(cè)量（0.1μV/K分辨率）

導(dǎo)熱系數(shù)分析：穩(wěn)態(tài)法測(cè)量λ值（范圍0.1-2000 W/m·K）

電阻率測(cè)試：四探針法測(cè)量（精度±0.5nΩ·m）

熱膨脹系數(shù)檢測(cè)：TMA法測(cè)定CTE（-150~1500℃工況）

熱電優(yōu)值（ZT）計(jì)算：綜合α2σ/λ參數(shù)（誤差＜3%）

檢測(cè)范圍

碲化鉍基合金：Bi?Te?系P/N型半導(dǎo)體材料

硅鍺合金：高溫型Si??Ge??發(fā)電組件

方鈷礦熱電材料：CoSb?基填充式晶體

鉛鹽化合物：PbTe基中溫?zé)犭娔K

氧化物半導(dǎo)體：Ca?Co?O?薄膜器件

檢測(cè)方法

ASTM E1225：穩(wěn)態(tài)縱向熱流法測(cè)定導(dǎo)熱系數(shù)

ISO 22007-4：瞬態(tài)平面熱源法熱擴(kuò)散率測(cè)試

ASTM B193：導(dǎo)電材料電阻率標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)程

IEC 62872：熱電模塊界面熱阻評(píng)估方法

JIS R1650：熱電材料塞貝克系數(shù)測(cè)量細(xì)則

檢測(cè)設(shè)備

塞貝克系數(shù)測(cè)試儀：ULVAC ZEM-3，溫差范圍±50K，電壓分辨率0.01μV

激光導(dǎo)熱分析儀：Netzsch LFA 467 HyperFlash，測(cè)試溫度-125~1100℃

四探針電阻測(cè)試系統(tǒng)：Keithley 2450源表，支持10nA~1A電流輸出

熱機(jī)械分析儀：TA Instruments TMA 450，膨脹量檢測(cè)精度±15nm

熱電特性聯(lián)測(cè)平臺(tái)：Linseis TEG-Tester，同步測(cè)量ΔT、I-V特性曲線

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

CNAS認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室（注冊(cè)號(hào)L1234）具備ISO/IEC 17025體系認(rèn)證

全套設(shè)備經(jīng)NIST可溯源校準(zhǔn)，年校準(zhǔn)偏差≤0.8%

開發(fā)多參數(shù)耦合測(cè)試算法，解決傳統(tǒng)方法中熱/電參數(shù)分離測(cè)量誤差

擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的接觸阻抗補(bǔ)償模型（專利號(hào)ZL2022XXXXXX.X）

檢測(cè)團(tuán)隊(duì)含3名ASTM D03委員會(huì)特聘專家

中析儀器 資質(zhì)