參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項(xiàng)目

晶界密度：測量單位面積內(nèi)次級晶界數(shù)量（參數(shù)范圍：0.5~5.0 μm?2）

晶界分布均勻性：統(tǒng)計(jì)晶界間距變異系數(shù)（CV≤15%）

平均晶粒尺寸：采用截距法測定（范圍：10~500 μm）

晶界取向差角度：分析角度分布（5°~60°區(qū)間分段統(tǒng)計(jì)）

晶界腐蝕敏感性：通過電化學(xué)極化測試腐蝕速率（單位：mm/year）

檢測范圍

金屬合金：鎳基高溫合金、鈦鋁合金、奧氏體不銹鋼

高溫結(jié)構(gòu)材料：碳化硅陶瓷、氮化硅基復(fù)合材料

半導(dǎo)體材料：多晶硅晶圓、砷化鎵襯底

陶瓷材料：氧化鋁結(jié)構(gòu)陶瓷、氧化鋯增韌陶瓷

涂層與薄膜：熱障涂層（TBC）、CVD金剛石薄膜

檢測方法

ASTM E112：標(biāo)準(zhǔn)晶粒度測定方法

ISO 17781：金屬材料電子背散射衍射分析通則

GB/T 13298：金屬顯微組織檢驗(yàn)方法

ASTM E3：金相試樣制備標(biāo)準(zhǔn)指南

GB/T 4334：不銹鋼晶間腐蝕敏感性試驗(yàn)方法

檢測設(shè)備

場發(fā)射掃描電鏡（FEI Nova NanoSEM 450）：配備EBSD探測器，分辨率≤1.0 nm，用于晶界形貌與取向分析

電子背散射衍射儀（Oxford Instruments Symmetry S2）：角度分辨率<0.5°，支持自動晶界重構(gòu)

金相顯微鏡（Zeiss Axio Imager M2m）：配備Clemex圖像分析模塊，測量精度±0.1 μm

電化學(xué)工作站（Gamry Reference 3000）：支持動電位極化測試，電位掃描速率0.166~100 mV/s

X射線衍射儀（Bruker D8 Discover）：配備Euler cradle，用于晶界殘余應(yīng)力測定（精度±5 MPa）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)