參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

反向擊穿電壓（VBR）：測量范圍0-3000V0.5%，擊穿電流閾值設定1μA-10mA

漏電流（IR）：測試條件25℃/125℃，靈敏度0.1nA-10mA

結(jié)電容（Cj）：頻率1MHz2%，偏壓0-30V50mV

熱阻系數(shù)（Rth）：溫控精度0.5℃，功率加載范圍0.1-100W

表面粗糙度（Ra）：測量分辨率0.01μm，掃描面積55mm

檢測范圍

硅基半導體材料：包括單晶硅、多晶硅及外延片

化合物半導體：砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）晶圓

功率晶體管：IGBT模塊、MOSFET器件

光電器件：LED芯片、激光二極管

傳感器元件：壓力傳感器、溫度傳感器核心部件

檢測方法

ASTMF42-21《半導體材料電阻率測試規(guī)程》

IEC60749-27:2020《半導體器件機械與氣候試驗方法》

GB/T4586-2020《半導體器件分立器件規(guī)范》

ISO14647:2015《微電子器件金屬鍍層厚度測量》

GB/T6571-2021《半導體器件分立器件和集成電路第7部分：雙極晶體管》

檢測設備

KeysightB1505A功率器件分析儀：支持3000V/1500A高壓大電流測試

TektronixPA3000功率分析儀：帶寬10MHz0.05%精度

Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：最小電流分辨率0.1fA

ThermoScientificHXI系列X射線衍射儀：角度重復性0.0001

BrukerDektakXT表面輪廓儀：垂直分辨率0.01nm

AgilentE4980ALCR表：基本精度0.05%@1MHz

Fluke6105B熱像儀：熱靈敏度≤40mK@30℃

OlympusLEXTOLS5000激光顯微鏡：XY分辨率120nm

MettlerToledoXP26微量天平：重復性0.0025mg

EspecPL-3KPH環(huán)境試驗箱：溫變速率

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)