四氯化錫二水合物xrd檢測(cè)摘要:四氯化錫二水合物(SnCl?·2H?O)的X射線衍射(XRD)檢測(cè)是確定其晶體結(jié)構(gòu)、物相組成及純度的重要手段。本文重點(diǎn)闡述樣品制備規(guī)范、衍射參數(shù)優(yōu)化、特征峰解析等核心環(huán)節(jié),涵蓋晶胞參數(shù)計(jì)算、結(jié)晶度評(píng)估及雜質(zhì)相識(shí)別等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo),適用于化工原料、催化劑前驅(qū)體等領(lǐng)域的質(zhì)量控制與研發(fā)驗(yàn)證。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
物相分析:掃描范圍10°-80°(2θ),步長(zhǎng)0.02°,速度2°/min
晶胞參數(shù)計(jì)算:基于Rietveld精修法,誤差范圍±0.005 ?
結(jié)晶度評(píng)估:半峰寬(FWHM)測(cè)量精度±0.01°
晶粒尺寸測(cè)定:Scherrer公式計(jì)算,粒徑范圍10-200 nm
雜質(zhì)相識(shí)別:檢出限≤0.5 wt%,匹配ICDD PDF-2數(shù)據(jù)庫(kù)
無(wú)機(jī)化工原料:高純度SnCl?·2H?O晶體粉末
催化劑前驅(qū)體:負(fù)載型金屬氧化物復(fù)合材料
電鍍添加劑:含錫離子配位化合物溶液干燥產(chǎn)物
醫(yī)藥中間體:有機(jī)錫合成反應(yīng)副產(chǎn)物
電子材料:半導(dǎo)體薄膜沉積用前驅(qū)體粉末
ASTM E915-16:殘余應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(適用于晶格畸變分析)
ISO 20203:2005:鋁生產(chǎn)用煅燒材料XRD定量分析通則
GB/T 23413-2009:納米材料晶粒尺寸測(cè)定方法
GB/T 30904-2014:無(wú)機(jī)化工產(chǎn)品晶型結(jié)構(gòu)分析通則
JIS K 0131-1996:X射線衍射通用試驗(yàn)方法
Rigaku SmartLab 9kW:配備Hybrid Pixel陣列探測(cè)器,角度重現(xiàn)性±0.0001°
Bruker D8 ADVANCE DaVinci:LynxEye XE-T超能探測(cè)器,最小步長(zhǎng)0.0001°
PANalytical Empyrean:PIXcel3D 2x2矩陣探測(cè)器,高溫附件支持-196~1600℃測(cè)試
Shimadzu XRD-7000:石墨單色器Cu靶光源,強(qiáng)度穩(wěn)定性≤0.05%/h
Thermo Scientific ARL EQUINOX 100:微區(qū)衍射模式,最小光斑尺寸50μm
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析四氯化錫二水合物xrd檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2024-08-24
2021-03-15
2023-06-28