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六方晶系指數(shù)檢測

2025-05-12 關(guān)鍵詞:六方晶系指數(shù)測試范圍,六方晶系指數(shù)測試標(biāo)準(zhǔn),六方晶系指數(shù)測試周期 相關(guān):
六方晶系指數(shù)檢測

六方晶系指數(shù)檢測摘要:六方晶系指數(shù)檢測是材料科學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵分析技術(shù),主要用于確定晶體結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)與取向特征。核心檢測內(nèi)容包括晶格常數(shù)、軸角偏差、密排面指數(shù)及取向分布等參數(shù)。該檢測需結(jié)合X射線衍射(XRD)、電子背散射衍射(EBSD)等技術(shù)手段,嚴(yán)格遵循ASTM、ISO及GB/T標(biāo)準(zhǔn)體系以確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶格常數(shù)a/c比值測定:測量六方晶胞a軸與c軸長度比(典型范圍1.58-1.89),誤差≤0.005

2.軸角α偏差分析:驗證α=90的偏離度(允許偏差0.03)

3.密排面(0001)指數(shù)標(biāo)定:通過衍射峰強度比計算HCP結(jié)構(gòu)密排面占比

4.晶面間距d值計算:基于布拉格方程測定(10-10)、(11-20)等特征晶面間距

5.晶體取向分布函數(shù)(ODF):統(tǒng)計極密度≥3.0的擇優(yōu)取向比例

檢測范圍

1.鈦合金(TC4、TA15等航空航天級材料)

2.鎂合金(AZ31B、ZK60等變形鎂合金)

3.氧化鋅(ZnO壓電半導(dǎo)體單晶)

4.氮化硼(h-BN高溫潤滑涂層)

5.石墨(高定向熱解石墨電極材料)

檢測方法

1.X射線衍射法:ASTME2627-2019《材料晶體結(jié)構(gòu)XRD定量分析》

2.電子背散射衍射:ISO24173:2009《EBSD晶體取向測定通則》

3.中子衍射法:GB/T23413-2009《金屬材料中子衍射應(yīng)力測定》

4.同步輻射X射線法:GB/T36075-2018《同步輻射X射線晶體學(xué)分析方法》

5.透射電鏡選區(qū)衍射:ASTME3061-2017《TEM晶體學(xué)標(biāo)定規(guī)程》

檢測設(shè)備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀:配備HyPix-3000探測器,分辨率0.01(2θ)

2.BrukerD8ADVANCEXRD系統(tǒng):配備LynxEye陣列探測器,掃描速度5000pps

3.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測器:空間分辨率≤50nm@20kV

4.JEOLJEM-ARM300F透射電鏡:球差校正STEM模式點分辨率0.08nm

5.PANalyticalEmpyreanXRD平臺:配置高溫附件(最高1600℃原位測試)

6.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM:集成EBSD/EDS聯(lián)用系統(tǒng)

7.MalvernPanalyticalX'Pert3MRDXL:高分辨三軸測角儀系統(tǒng)

8.ShimadzuXRD-7000:配備單色CuKα輻射源

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。

售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析六方晶系指數(shù)檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細(xì)檢測項目,請咨詢在線工程師

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