參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.閾值電壓（V_th）：測量柵極開啟電壓值范圍（典型值2-6V），精度要求0.1V

2.導通電阻（R_DS(on)）：測試漏源極間導通阻抗（0.5mΩ-50mΩ），電流加載范圍1A-1000A

3.擊穿電壓（V_BR）：驗證漏源極間耐壓能力（600V-6500V），升壓速率50V/s5%

4.開關時間參數(shù)：包含開通時間t_d(on)（10ns-500ns）與關斷時間t_d(off)（50ns-1μs）

5.熱阻（R_θJC）：測量結殼間熱阻值（0.1℃/W-1.5℃/W），溫度控制精度0.5℃

檢測范圍

1.硅基IGBT模塊：電壓等級1200V-6500V的功率封裝模塊

2.碳化硅MOSFET器件：第三代半導體材料的單管及模組產(chǎn)品

3.氮化鎵HEMT器件：高頻應用的平面型功率晶體管

4.智能功率模塊（IPM）：集成驅(qū)動電路的多芯片組件

5.分立式功率晶體管：TO-247/TO-220等封裝形式的單管器件

檢測方法

1.靜態(tài)特性測試依據(jù)IEC60747-9:2019半導體分立器件標準

2.動態(tài)特性測試采用GB/T29332-2012《絕緣柵雙極晶體管測試方法》

3.熱阻測量執(zhí)行ASTMF1245-2016熱瞬態(tài)測試規(guī)范

4.高壓擊穿試驗參照IEC60749-26:2013介質(zhì)耐壓測試規(guī)程

5.環(huán)境可靠性試驗依據(jù)GB/T2423系列標準進行溫濕度循環(huán)測試

檢測設備

1.KeysightB1505A功率器件分析儀：支持2000A/10kV高壓大電流靜態(tài)參數(shù)測試

2.TektronixDPO7354C示波器：4GHz帶寬用于動態(tài)開關波形分析

3.Chroma19032功率循環(huán)測試系統(tǒng)：實現(xiàn)10000次以上功率循環(huán)壽命試驗

4.ThermoScientificT3Ster瞬態(tài)熱阻測試儀：μs級時間分辨率熱特性分析

5.HiokiST5520表面電阻測試儀：接觸電阻測量精度達0.01μΩ

6.ESPECPL-3K環(huán)境試驗箱：溫度范圍-70℃~+180℃，濕度控制10%-98%RH

7.Fluke1587FC絕緣電阻測試儀：5000VDC耐壓測試與絕緣電阻測量

8.AgilentE4980ALCR表：20Hz-2MHz頻率范圍阻抗特性分析

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)