參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1. 主成分純度：HfCl?O含量≥99.5%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)），采用非揮發(fā)性殘留物法測定

2. 氯元素含量：Cl?離子占比誤差≤0.3%，電位滴定法控制精度±0.05%

3. 氧元素分布：O/Hf摩爾比1.8-2.2區(qū)間驗(yàn)證，XPS表面分析深度5nm

4. 晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)：XRD分析晶面間距d值偏差≤0.005?

5. 熱分解特性：TGA測試失重率≤1.5%（200-400℃溫區(qū)）

檢測范圍

1. CVD工藝用高純前驅(qū)體材料：半導(dǎo)體級HfCl?O粉末及溶液

2. 催化反應(yīng)體系：負(fù)載型納米催化劑載體材料

3. 先進(jìn)陶瓷原料：鋯鉿系復(fù)合氧化物陶瓷前驅(qū)體

4. 光學(xué)鍍膜材料：真空蒸鍍用HfCl?O顆粒

5. 特種化學(xué)試劑：電子級蝕刻液配方組分

檢測方法

1. GB/T 23945-2009《無機(jī)化工產(chǎn)品中雜質(zhì)元素的測定》規(guī)范金屬雜質(zhì)檢測

2. ASTM E256-2019《氯含量的微庫侖測定標(biāo)準(zhǔn)方法》控制鹵素含量

3. ISO 14707:2015《表面化學(xué)分析-輝光放電發(fā)射光譜法》用于深度剖析

4. GB/T 17473.6-2008《電子工業(yè)用貴金屬漿料測試方法》指導(dǎo)熱分析

5. JIS K0153:2018《X射線衍射分析方法通則》規(guī)范晶體結(jié)構(gòu)測試

檢測設(shè)備

1. Thermo Scientific ARL PERFORM'X X射線熒光光譜儀（XRF）：元素定量分析精度±0.01%

2. PerkinElmer Optima 8300電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（ICP-OES）：檢出限達(dá)ppb級

3. Netzsch STA 449 F5同步熱分析儀：TGA-DSC聯(lián)用溫度范圍RT-1500℃

4. Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀（XRD）：配備LynxEye陣列探測器

5. Metrohm 905 Titrando電位滴定儀：分辨率0.1μL的自動(dòng)滴定系統(tǒng)

6. Shimadzu EDX-8000能量色散X射線光譜儀：Be窗探測器元素范圍B-U

7. Agilent 7900 ICP-MS質(zhì)譜儀：同位素比值測定RSD＜0.05%

8. Malvern Mastersizer 3000激光粒度儀：測量范圍0.01-3500μm

9. JEOL JSM-7900F場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）：分辨率1.0nm@15kV

10. Mettler Toledo XPR6U超微量天平：稱量精度0.1μg/210g量程

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)