參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1.暗電流特性：25℃下暗電流密度≤0.5nA/cm2，高溫85℃時(shí)≤5nA/cm2

2.電荷轉(zhuǎn)移效率：垂直轉(zhuǎn)移效率≥99.999%，水平寄存器效率≥99.99%

3.動(dòng)態(tài)范圍測試：線性工作區(qū)≥70dB，飽和曝光量誤差≤±3%

4.光譜響應(yīng)度：400-1000nm波長范圍內(nèi)量子效率≥80%

5.抗輻射性能：總劑量輻射≥100krad(Si)，單粒子閂鎖閾值≥50MeV·cm2/mg

檢測范圍

1.科學(xué)級背照式CCD：用于天文觀測與光譜分析的高靈敏度器件

2.工業(yè)線陣CCD：適用于高速掃描與尺寸測量的1024/2048像素陣列

3.航天級抗輻射CCD：滿足衛(wèi)星載荷要求的加固型圖像傳感器

4.微光CCD組件：帶電子倍增功能的EMCCD器件

5.紅外增強(qiáng)型CCD：擴(kuò)展至1700nm近紅外波段的特種器件

檢測方法

1.ASTMF1241-22《固態(tài)成像器件暗電流測試規(guī)程》

2.ISO15529:2010《光學(xué)與光子學(xué)-CCD調(diào)制傳遞函數(shù)測量》

3.GB/T18908.1-2021《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》

4.IEC60749-39:2021《半導(dǎo)體器件抗輻射試驗(yàn)流程》

5.GB/T26248-2010《電荷耦合器件光電參數(shù)測試方法》

檢測設(shè)備

1.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：暗電流/電容-電壓特性測試

2.ThermoScientificATS-525恒溫箱：-65℃~+200℃溫度循環(huán)測試

3.OAIModel300光學(xué)校準(zhǔn)系統(tǒng)：MTF/PSF光學(xué)響應(yīng)分析

4.Chroma19032-S光輻射源：光譜響應(yīng)度標(biāo)定裝置

5.TektronixAWG5208任意波形發(fā)生器：驅(qū)動(dòng)時(shí)序特性驗(yàn)證

6.HamamatsuC11347-11低溫探頭：77K深冷環(huán)境性能測試

7.ThermoFisherSCIEXTripleTOF6600質(zhì)譜儀（改裝）：單粒子效應(yīng)模擬

8.Agilent4156C精密參數(shù)分析儀：電荷轉(zhuǎn)移效率定量分析

9.BrukerContourGT-X3白光干涉儀：微結(jié)構(gòu)三維形貌測量

10.Fluke6100A電能質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)源：供電系統(tǒng)抗干擾測試

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)