參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

1.位移損傷劑量（DDD）測定：測量單位體積原子位移數(shù)（dpa），精度0.05dpa

2.電性能退化分析：載流子濃度變化量（Δn≤110?cm?）、遷移率衰減率（μ/μ?≥80%）

3.微觀結(jié)構(gòu)表征：位錯(cuò)密度（≥110?m?）、空洞尺寸分布（0.5-50nm）

4.機(jī)械性能測試：屈服強(qiáng)度變化率（Δσ/σ?≤15%）、斷裂韌性KIC值（≥30MPam/）

5.熱導(dǎo)率衰減監(jiān)測：導(dǎo)熱系數(shù)下降幅度（Δλ/λ?≤25%@300K）

檢測范圍

1.半導(dǎo)體材料：硅基器件、GaN功率器件、SiC襯底

2.金屬合金：鋯合金包殼管、奧氏體不銹鋼結(jié)構(gòu)件

3.高分子材料：PTFE密封件、EPDM絕緣層

4.光學(xué)元件：石英玻璃視窗、ZnSe紅外透鏡

5.生物醫(yī)學(xué)材料：聚乙烯人工關(guān)節(jié)、鈦合金植入體

檢測方法

ASTME521-16：帶電粒子輻照試驗(yàn)規(guī)程（1-50MeV質(zhì)子/重離子）

ISO12749-4:2020：核能應(yīng)用材料中子輻照效應(yīng)評估

GB/T26168.1-2010：電氣絕緣材料γ射線輻照試驗(yàn)方法

ASTMF1467-18：電子器件總劑量輻射效應(yīng)測試

GB/T36018-2018：空間用半導(dǎo)體器件位移損傷劑量測試規(guī)范

檢測設(shè)備

1.Tandetron4117A串列加速器：提供1-10MeV質(zhì)子束流，束流強(qiáng)度0.1-100nA

2.ThermoScientificApreo2SEM：分辨率0.7nm@15kV，配備EDS/EBSD聯(lián)用系統(tǒng)

3.JEOLJEM-ARM300FTEM：點(diǎn)分辨率0.08nm，支持原位輻照觀測

4.NetzschLFA467HTHyperFlash：熱擴(kuò)散系數(shù)測量范圍0.1-2000mm/s

5.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：IV/CV測試精度0.3%，最大電壓200V

6.Instron8862萬能試驗(yàn)機(jī)：載荷范圍100kN，應(yīng)變測量精度0.5%

7.BrukerD8ADVANCEXRD：Cu靶Kα輻射（λ=0.154nm），角度重復(fù)性0.0001

8.OxfordInstrumentsMicrostatN2低溫恒溫器：溫度范圍80-500K，控溫精度0.1K

9.ORTECHPGeγ譜儀：能量分辨率≤1.8keV@1.33MeV

10.FLIRX8500SC紅外熱像儀：熱靈敏度15mK@30℃，幀頻180Hz

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)