晶比檢測(cè)摘要:晶比檢測(cè)是材料科學(xué)和工業(yè)質(zhì)量控制中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),主要針對(duì)晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行定量分析。檢測(cè)涵蓋晶體取向、缺陷密度、晶粒尺寸等核心參數(shù),采用X射線衍射(XRD)、電子背散射衍射(EBSD)等技術(shù)手段,嚴(yán)格遵循ASTM、ISO及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。本文系統(tǒng)闡述檢測(cè)項(xiàng)目、范圍、方法及設(shè)備配置,為科研與生產(chǎn)提供技術(shù)參考。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.晶體結(jié)構(gòu)分析:測(cè)定晶格常數(shù)(精度0.001)、空間群對(duì)稱性及原子占位率
2.取向分布測(cè)定:統(tǒng)計(jì)晶粒歐拉角分布(角度分辨率≤0.1),計(jì)算織構(gòu)強(qiáng)度系數(shù)
3.缺陷密度檢測(cè):量化位錯(cuò)密度(量程10?-10/cm)、層錯(cuò)能及孿晶界面比例
4.晶粒尺寸統(tǒng)計(jì):測(cè)量等效直徑(范圍0.1-500μm),計(jì)算晶界曲率半徑
5.相含量測(cè)定:定量多相體系中各相體積分?jǐn)?shù)(檢出限0.5vol%)
6.殘余應(yīng)力分析:測(cè)定宏觀應(yīng)力(精度10MPa)與微觀應(yīng)變張量
1.金屬材料:鋁合金(AA2024/7075)、鈦合金(Ti-6Al-4V)、高溫合金(Inconel718)
2.半導(dǎo)體材料:?jiǎn)尉Ч瑁〒诫s濃度10?-10?/cm)、GaN外延層(厚度50-500nm)
3.陶瓷材料:氧化鋯(YSZ)、碳化硅(β-SiC)及壓電陶瓷(PZT-5H)
4.高分子材料:半結(jié)晶聚合物(PP/PE/PET),結(jié)晶度測(cè)量范圍30-90%
5.復(fù)合材料:碳纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂(CFRP),界面相厚度測(cè)量精度5nm
1.X射線衍射法:ASTME975(宏觀織構(gòu))、GB/T8362(殘余應(yīng)力測(cè)定)
2.電子背散射衍射:ISO24173(取向成像)、GB/T38885(晶界特性表征)
3.透射電子顯微術(shù):ISO25498(位錯(cuò)分析)、GB/T36065(納米晶測(cè)量)
4.中子衍射法:ISO21484(大體積樣品應(yīng)力測(cè)繪),ASTME2861
5.同步輻射技術(shù):ISO/TS21432(高分辨三維成像),空間分辨率50nm
1.X射線衍射儀:PANalyticalEmpyrean,配備高溫附件(-196~1600℃)
2.場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡:ThermoFisherApreo2,EBSD分辨率≤3nm
3.透射電子顯微鏡:JEOLJEM-ARM300F,球差校正STEM模式
4.X射線應(yīng)力分析儀:ProtoLXRD,ψ角掃描范圍45
5.同步輻射線站:上海光源BL14B1,光子能量5-20keV可調(diào)
6.EBSD探測(cè)器:OxfordInstrumentsSymmetryS2,采集速率3000pps
7.高溫環(huán)境箱:AntonPaarDHS1100,真空度10??mbar
8.納米壓痕儀:KeysightG200,載荷分辨率50nN
9.聚焦離子束系統(tǒng):TESCANGAIA3,定位精度10nm
10.X射線三維顯微鏡:ZEISSXradia620Versa,體素尺寸0.7μm
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
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