參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.載流子濃度（n/p）：測(cè)量范圍1E12~1E20cm?，精度3%

2.遷移率（μ）：測(cè)試范圍10~15000cm/(Vs)，溫度條件77K~300K

3.電阻率（ρ）：量程0.001~100Ωcm，四探針?lè)?%重復(fù)性

4.載流子壽命（τ）：時(shí)間分辨率0.1ns~10ms，微波光電導(dǎo)衰減法

5.摻雜濃度分布（Nd/Na）：縱向分辨率≤5nm，二次離子質(zhì)譜深度剖析

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體單晶材料：硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)單晶片

2.光伏材料：多晶硅錠、CIGS薄膜太陽(yáng)能電池吸收層

3.電子器件：MOSFET溝道區(qū)、IGBT基區(qū)摻雜層

4.化合物半導(dǎo)體：氮化鎵(GaN)外延層、碳化硅(SiC)襯底

5.納米電子材料：石墨烯異質(zhì)結(jié)、量子點(diǎn)發(fā)光層

檢測(cè)方法

1.霍爾效應(yīng)法：ASTMF76-08(2020)、GB/T1550-2018半導(dǎo)體導(dǎo)電類型判定

2.四探針?lè)ǎ篏B/T1551-2009硅單晶電阻率測(cè)定

3.二次離子質(zhì)譜(SIMS)：ISO17560:2014深度剖析、GB/T32281-2015半導(dǎo)體雜質(zhì)分析

4.電容-電壓法(C-V)：ASTMF1392-00(2020)載流子濃度測(cè)試

5.光致發(fā)光譜(PL)：ISO23125:2019半導(dǎo)體缺陷表征

檢測(cè)設(shè)備

1.Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：支持AC/DC霍爾效應(yīng)測(cè)量與C-V特性分析

2.AccentHL5500PC霍爾測(cè)試系統(tǒng)：配備0.55T永磁體與液氮杜瓦低溫組件

3.FourDimensions280SI四探針系統(tǒng)：自動(dòng)壓力控制探頭(10g~500g可調(diào))

4.PHInanoTOFII飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀：質(zhì)量分辨率＞15,000@m/z=29

5.AgilentB1500A半導(dǎo)體器件分析儀：1μHz~1MHz寬頻C-V特性測(cè)試模塊

6.HoribaLabRAMHREvolution顯微拉曼光譜儀：配備325nm/532nm/785nm多波長(zhǎng)激光源

7.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：檢出限＜0.1ppt的痕量摻雜元素分析

8.OxfordInstrumentsVersaProbeXPS：空間分辨率＜7.5μm的表面化學(xué)態(tài)分析

9.SemilabWT-2000少子壽命測(cè)試儀：微波反射式非接觸測(cè)量模式

10.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡：PeakForceTapping模式表面形貌表征

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)