參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測項(xiàng)目

位錯(cuò)誤率（BER）：測量單位時(shí)間內(nèi)錯(cuò)誤比特占比，閾值≤1E-12

存儲單元均勻性：掃描分析單元尺寸偏差，允許波動(dòng)范圍±3%

信號噪聲比（SNR）：量化有效信號與背景噪聲強(qiáng)度比，基準(zhǔn)值≥30dB

寫入/擦除耐久度：循環(huán)測試次數(shù)≥1E6次后性能衰減≤5%

熱穩(wěn)定性：高溫85℃環(huán)境下保持時(shí)間≥1000小時(shí)無數(shù)據(jù)丟失

檢測范圍

半導(dǎo)體晶圓：12英寸硅基晶圓及III-V族化合物晶圓

磁性存儲介質(zhì)：垂直磁記錄硬盤、磁光混合存儲薄膜

光存儲介質(zhì)：藍(lán)光光盤、全息存儲玻璃基板

集成電路芯片：3D NAND閃存芯片、MRAM存儲器

量子比特器件：超導(dǎo)量子芯片拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)表面分析

檢測方法

ASTM F1241-22：半導(dǎo)體存儲器單元電學(xué)特性測試規(guī)范

ISO/IEC 29112:2020：光存儲介質(zhì)位密度驗(yàn)證方法

GB/T 26248-2021：磁記錄介質(zhì)物理性能測試通則

IEC 62679-3-1：柔性電子器件存儲特性評估標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 36450.4-2018：閃存芯片可靠性試驗(yàn)方法

檢測設(shè)備

Keysight B1500A半導(dǎo)體分析儀：支持pA級電流精度測量與高頻信號響應(yīng)分析

Veeco Dimension Icon原子力顯微鏡：實(shí)現(xiàn)5nm空間分辨率表面形貌掃描

Oxford Instruments NanoAnalysis EDS：執(zhí)行元素分布與晶體結(jié)構(gòu)同步表征

Advantest T2000測試系統(tǒng)：完成128通道并行存儲器功能驗(yàn)證

Agilent N9020B信號分析儀：支持40GHz帶寬信號完整性測試

Thermo Fisher Helios G4 UXe雙束電鏡：提供亞納米級截面制備與成像能力

Bruker Dimension XR掃描探針平臺：實(shí)現(xiàn)磁疇結(jié)構(gòu)與電學(xué)特性原位關(guān)聯(lián)分析

Anritsu MP1900A誤碼率測試儀：支持28Gbps高速信號BER測量

Cascade Summit 12000探針臺：滿足300mm晶圓全自動(dòng)參數(shù)測試需求

Hitachi HF5000透射電鏡：執(zhí)行原子級存儲界面缺陷觀測與分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)