超位錯(cuò)寬度檢測(cè)摘要:超位錯(cuò)寬度檢測(cè)是評(píng)估材料晶體缺陷特性的核心手段之一,直接影響材料的力學(xué)性能和失效分析。本文聚焦透射電子顯微鏡(TEM)與X射線衍射(XRD)技術(shù)結(jié)合的檢測(cè)體系,涵蓋位錯(cuò)線形貌表征、伯格斯矢量測(cè)定及應(yīng)力場(chǎng)分布等關(guān)鍵參數(shù)。需重點(diǎn)關(guān)注樣品制備規(guī)范性、設(shè)備分辨率校準(zhǔn)及數(shù)據(jù)定量化處理三大技術(shù)難點(diǎn)。
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.位錯(cuò)線寬度測(cè)量:分辨率≤0.2nm,測(cè)量誤差5%以內(nèi)
2.伯格斯矢量模量計(jì)算:精度達(dá)0.01
3.位錯(cuò)密度統(tǒng)計(jì):分析區(qū)域≥5μm,密度范圍10?-10/cm
4.應(yīng)力場(chǎng)分布分析:應(yīng)變分辨率110??
5.層錯(cuò)能關(guān)聯(lián)性驗(yàn)證:能量計(jì)算誤差≤0.5mJ/m
1.鎳基高溫合金單晶葉片(CMSX-4系列)
2.鈦鋁合金航空緊固件(Ti-6Al-4V)
3.第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓(4H-SiC)
4.核反應(yīng)堆壓力容器鋼(A508-III)
5.形狀記憶合金醫(yī)療器械(NiTiNOL)
1.ASTME112-13晶粒度測(cè)定法延伸應(yīng)用
2.ISO25498:2018微束分析-電子背散射衍射法
3.GB/T3949-2021金屬材料位錯(cuò)密度測(cè)定通則
4.ISO24173:2009納米束電子衍射技術(shù)規(guī)范
5.GB/T35031-2018透射電鏡薄膜樣品制備規(guī)程
1.FEITecnaiG2F20場(chǎng)發(fā)射透射電鏡:配備GatanOriusSC200相機(jī),可實(shí)現(xiàn)0.19nm點(diǎn)分辨率
2.JEOLJEM-ARM300F球差校正電鏡:支持原子級(jí)位錯(cuò)核心結(jié)構(gòu)解析
3.BrukerD8DiscoverX射線衍射儀:配置VANTEC-500探測(cè)器,最小光斑尺寸50μm
4.TSLOIMAnalysisv8.0軟件:具備自動(dòng)位錯(cuò)密度計(jì)算模塊
5.GatanModel691離子減薄儀:支持雙槍傾轉(zhuǎn)樣品制備
6.ZeissCrossbeam550聚焦離子束系統(tǒng):定位精度50nm的定點(diǎn)制樣
7.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測(cè)器:空間分辨率達(dá)3nm
8.Hummer6.2濺射鍍膜機(jī):可控制Pt鍍層厚度1-5nm
9.FischioneModel1020等離子清洗機(jī):保持樣品表面低污染度
10.DigiSTAR旋轉(zhuǎn)傾轉(zhuǎn)樣品臺(tái):傾轉(zhuǎn)范圍70,定位重復(fù)性0.1
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析超位錯(cuò)寬度檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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