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貫穿孿晶檢測(cè)

2025-04-08 關(guān)鍵詞:貫穿孿晶測(cè)試范圍,貫穿孿晶測(cè)試機(jī)構(gòu),貫穿孿晶測(cè)試方法 相關(guān):
貫穿孿晶檢測(cè)

貫穿孿晶檢測(cè)摘要:貫穿孿晶檢測(cè)是材料科學(xué)中評(píng)估晶體缺陷與力學(xué)性能的關(guān)鍵技術(shù),主要針對(duì)金屬、陶瓷及復(fù)合材料中的孿晶結(jié)構(gòu)進(jìn)行定量分析。核心檢測(cè)要點(diǎn)包括晶體取向偏差、孿晶界面能測(cè)定、位錯(cuò)密度關(guān)聯(lián)性等參數(shù),需結(jié)合電子顯微技術(shù)與X射線衍射方法實(shí)現(xiàn)高精度表征。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.晶體取向偏差分析(EBSD技術(shù),分辨率≤0.1μm)

2.孿晶界面能測(cè)定(TEM結(jié)合EDS能譜分析)

3.位錯(cuò)密度關(guān)聯(lián)性測(cè)試(HR-EBSD系統(tǒng))

4.孿晶厚度測(cè)量(SEM二次電子成像模式)

5.動(dòng)態(tài)孿生行為觀測(cè)(原位拉伸臺(tái)加載速率0.001-5mm/min)

檢測(cè)范圍

1.金屬材料:鈦合金(TC4)、鎂合金(AZ31)、鎳基高溫合金(Inconel718)

2.陶瓷材料:氧化鋯增韌陶瓷(Y-TZP)、氮化硅結(jié)構(gòu)陶瓷

3.半導(dǎo)體材料:?jiǎn)尉Ч瑁?11/100晶向)、砷化鎵基片

4.復(fù)合材料:碳纖維增強(qiáng)聚合物(CFRP)、金屬基復(fù)合材料(SiC/Al)

5.形狀記憶合金:鎳鈦諾(NiTi)、銅基記憶合金(Cu-Al-Ni)

檢測(cè)方法

1.ASTME2627-19電子背散射衍射標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

2.ISO24173:2009微束分析-電子背散射衍射分析方法

3.GB/T13298-2015金屬顯微組織檢驗(yàn)方法

4.ASTME3-11(2017)金相試樣制備標(biāo)準(zhǔn)指南

5.GB/T4335-2013鋼中非金屬夾雜物的顯微評(píng)定方法

檢測(cè)設(shè)備

1.FEIVersa3D雙束掃描電鏡(配備EDAXHikariEBSD系統(tǒng))

2.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射電鏡(空間分辨率0.08nm)

3.BrukerD8ADVANCEX射線衍射儀(Cu靶Kα輻射源)

4.ZeissCrossbeam550聚焦離子束系統(tǒng)(30kVGa+離子源)

5.ShimadzuAG-XPlus電子萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)(載荷范圍50N-100kN)

6.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測(cè)器(采集速率≥3000點(diǎn)/秒)

7.GatanK3-IS直接電子探測(cè)器(動(dòng)態(tài)范圍16bit)

8.TescanMira4場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(二次電子分辨率1.0nm@15kV)

9.KeysightNanoIndenterG200(位移分辨率0.01nm)

10.MalvernPanalyticalEmpyreanX射線衍射平臺(tái)(二維探測(cè)器配置)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng):中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。

售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析貫穿孿晶檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢(xún)?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€工程師

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