參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.純度分析：測(cè)定鉑（Pt）含量≥99.95%，雜質(zhì)元素總量≤0.05%（含Au、Ag、Pd等）

2.厚度測(cè)量：精度0.05μm（范圍0.1-10μm），多點(diǎn)位均勻性評(píng)估

3.表面質(zhì)量檢查：缺陷尺寸≤1μm（劃痕/針孔/褶皺），表面粗糙度Ra≤0.02μm

4.成分分布分析：EDS面掃描元素分布均勻性（偏差≤1.5%）

5.機(jī)械性能測(cè)試：抗拉強(qiáng)度≥150MPa（GB/T228.1），延伸率≥15%

檢測(cè)范圍

1.貴金屬裝飾箔：建筑鑲貼/藝術(shù)品鍍層

2.電子工業(yè)用箔：半導(dǎo)體封裝/電極基材

3.醫(yī)療植入物涂層：人工關(guān)節(jié)/牙科修復(fù)體

4.航天器熱控箔：衛(wèi)星輻射板/推進(jìn)器隔熱層

5.納米級(jí)功能薄膜：傳感器電極/催化載體

檢測(cè)方法

1.X射線(xiàn)熒光光譜法（ASTME1216-11）：非破壞性元素定量分析

2.金相顯微鏡法（GB/T15077-2008）：截面厚度及晶粒度測(cè)定

3.電感耦合等離子體質(zhì)譜（ISO17294-2:2016）：痕量雜質(zhì)檢測(cè)（ppb級(jí)）

4.白光干涉儀法（GB/T29505-2013）：三維表面形貌重建

5.四點(diǎn)探針電阻測(cè)試（ASTMF390-11）：方阻值≤0.05Ω/sq

檢測(cè)設(shè)備

1.XRF光譜儀（X-Supreme8000）：多元素同步分析（檢出限0.001%）

2.臺(tái)階儀（DektakXT）：接觸式厚度測(cè)量（分辨率0.1nm）

3.FIB-SEM雙束系統(tǒng)（HeliosG4）：納米級(jí)截面制備與觀(guān)測(cè)

4.AFM原子力顯微鏡（DimensionIcon）：表面三維形貌表征

5.萬(wàn)能材料試驗(yàn)機(jī)（Instron5967）：微力拉伸測(cè)試（載荷范圍0.01-50kN）

6.GD-OES輝光放電光譜儀（GDA750）：深度剖面成分分析

7.FTIR紅外光譜儀（NicoletiS50）：有機(jī)污染物定性檢測(cè)

8.激光共聚焦顯微鏡（OLS5000）：非接觸式粗糙度測(cè)量

9.TGA熱重分析儀（STA449F3）：氧化穩(wěn)定性測(cè)試（溫度范圍RT-1600℃）

10.EBSD系統(tǒng)（SymmetryS2）：晶體取向分布分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)