參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶面間距測量：分辨率≤0.02nm，測量范圍0.1-0.5nm

2.晶格取向偏差分析：角度精度0.1，偏差范圍0.5

3.缺陷密度評估：缺陷識別尺寸≥0.3nm，統(tǒng)計誤差≤5%

4.晶體相變表征：相變溫度范圍-196C~1200C

5.應力應變分布檢測：應變分辨率≤0.1%，空間分辨率≤2nm

檢測范圍

1.半導體材料：硅(Si)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)單晶

2.金屬及合金：鋁合金(Al6061)、鈦合金(Ti-6Al-4V)、高溫鎳基合金

3.陶瓷材料：氧化鋁(Al?O?)、氧化鋯(ZrO?)及壓電陶瓷

4.納米顆粒：金納米顆粒(AuNPs)、四氧化三鐵(Fe?O?)量子點

5.二維材料：石墨烯、二硫化鉬(MoS?)、六方氮化硼(h-BN)

檢測方法

1.ASTME766:SEM圖像校準規(guī)范

2.ISO25498:TEM選區(qū)電子衍射(SAED)分析方法

3.GB/T17359:能譜儀(EDS)定量分析通則

4.ISO16700:場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)操作規(guī)范

5.GB/T23414:電子背散射衍射(EBSD)晶體學分析

6.ASTMF1877:高分辨TEM晶格成像標準

檢測設備

1.FEITecnaiG2F20TEM：點分辨率0.24nm，配備Gatan成像濾波系統(tǒng)

2.JEOLJEM-ARM300F球差校正電鏡：信息分辨率0.08nm

3.ZeissSigma500場發(fā)射SEM：二次電子分辨率0.6nm@15kV

4.BrukerQuantaxEDS系統(tǒng)：能量分辨率129eV@MnKα

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測器：角分辨率0.1

6.GatanK3-IS相機：16位動態(tài)范圍，支持4K4K成像

7.HitachiHF5000冷場發(fā)射TEM：加速電壓200kV

8.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM：定位精度5nm

9.JEOLJEM-2800STEM：探針電流0.1pA-100nA連續(xù)可調(diào)

10.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡(AFM)：Z軸噪聲<0.05nm

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)