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可關(guān)斷可控硅組件檢測

2025-04-08 關(guān)鍵詞:可關(guān)斷可控硅組件測試儀器,可關(guān)斷可控硅組件測試范圍,可關(guān)斷可控硅組件測試案例 相關(guān):
可關(guān)斷可控硅組件檢測

可關(guān)斷可控硅組件檢測摘要:可關(guān)斷可控硅(GTO)組件檢測是電力電子器件質(zhì)量控制的核心環(huán)節(jié),需通過電氣性能、熱特性及可靠性等多維度驗證。關(guān)鍵檢測指標包括斷態(tài)電壓耐受能力、觸發(fā)特性、關(guān)斷時間及動態(tài)參數(shù)穩(wěn)定性等,嚴格遵循IEC60747及GB/T15291標準要求,確保器件在高壓大電流場景下的安全性與耐久性。

參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM):測試范圍3kV-8kV,漏電流≤10mA

2.通態(tài)電流臨界上升率(di/dt):驗證50A/μs-200A/μs工況下的響應(yīng)特性

3.門極觸發(fā)電流(IGT):測量范圍50mA-500mA@25℃/125℃雙溫區(qū)

4.關(guān)斷時間(tq):記錄20μs-100μs區(qū)間內(nèi)陽極電流下降至10%的時間

5.熱阻測試(Rth(j-c)):測量結(jié)殼熱阻值≤0.25℃/W@穩(wěn)態(tài)功耗200W

檢測范圍

1.硅基GTO組件:電壓等級3kV/4.5kV/6kV系列

2.碳化硅混合型GTO模塊:耐壓≥10kV的超高壓器件

3.平板壓接式封裝組件:直徑76mm/100mm標準規(guī)格

4.逆導(dǎo)型GTO晶閘管:集成二極管的反并聯(lián)結(jié)構(gòu)器件

5.高頻脈沖應(yīng)用GTO:工作頻率≥1kHz的特殊設(shè)計型號

檢測方法

1.IEC60747-6:半導(dǎo)體器件測試基本規(guī)范

2.GB/T15291-2015:半導(dǎo)體分立器件試驗方法

3.ASTMF1241:功率半導(dǎo)體熱特性測試標準

4.ISO16750-2:汽車電子環(huán)境適應(yīng)性試驗要求

5.JESD22-A108F:電子器件溫度循環(huán)測試規(guī)程

檢測設(shè)備

1.KeysightB1505A功率器件分析儀:支持6kV/1500A脈沖測試

2.TektronixTCP303電流探頭:帶寬15MHz/量程50A

3.Chroma19032耐壓測試儀:輸出0-10kVAC/DC可調(diào)

4.FLIRA655sc紅外熱像儀:測溫精度1℃@-40℃~1500℃

5.ESPECPL-3K環(huán)境試驗箱:溫度范圍-70℃~+180℃

6.HiokiPW3390功率分析儀:基本精度0.06%@50Hz/60Hz

7.Agilent34970A數(shù)據(jù)采集器:支持120通道同步采樣

8.ThermoScientificCL24熱阻測試系統(tǒng):符合JEDEC51-14標準

9.HBMGenesisHighSpeed數(shù)采系統(tǒng):采樣率1MS/s/16bit精度

10.SchleifringHS200動態(tài)測試平臺:旋轉(zhuǎn)接觸電阻≤5mΩ

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試:支持定制化試驗方案。

售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析可關(guān)斷可控硅組件檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師

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