參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.價(jià)帶結(jié)構(gòu)分析：采用X射線光電子能譜（XPS）或紫外光電子能譜（UPS），測(cè)量結(jié)合能范圍0-20eV

2.費(fèi)米能級(jí)定位：通過(guò)HeIα（21.2eV）激發(fā)源測(cè)定金屬/半導(dǎo)體界面能級(jí)偏移量

3.電子態(tài)密度分布：利用角分辨光電子能譜（ARPES）測(cè)量動(dòng)量分辨電子態(tài)密度

4.表面功函數(shù)測(cè)定：采用開(kāi)爾文探針力顯微鏡（KPFM），分辨率達(dá)1meV

5.缺陷態(tài)表征：通過(guò)深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）分析缺陷能級(jí)濃度（10¹⁰-10¹⁴cm^-3）

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體材料：硅基器件、III-V族化合物（GaAs,InP等）

2.金屬合金：過(guò)渡金屬氧化物薄膜（TiO₂,ZnO）、高溫超導(dǎo)材料

3.納米材料：量子點(diǎn)（CdSe,PbS）、二維材料（石墨烯,MoS₂）

4.能源材料：鋰離子電池電極材料（LiCoO₂,Si負(fù)極）

5.催化材料：貴金屬催化劑（Pt/C,Pd/Al₂O₃）

檢測(cè)方法

1.ASTME1523-15：X射線光電子能譜儀校準(zhǔn)規(guī)范

2.ISO15472:2010：表面化學(xué)分析-X射線光電子能譜儀能量標(biāo)尺校準(zhǔn)

3.GB/T19500-2004：X射線光電子能譜分析方法通則

4.ISO18118:2015：表面化學(xué)分析-俄歇電子能譜和X射線光電子能譜的定量分析

5.GB/T28894-2012：表面化學(xué)分析-俄歇電子能譜和X射線光電子能譜測(cè)定峰強(qiáng)度的方法

檢測(cè)設(shè)備

1.ThermoScientificESCALABXi+：配備單色化AlKα源（1486.6eV），能量分辨率≤0.45eV

2.JEOLJAMP-9500F：場(chǎng)發(fā)射俄歇電子能譜儀（AES），束斑尺寸5nm

3.SPECSPHOIBOS150：半球型能量分析器，角度分辨率0.1

4.OmicronArgusCU：紫外光電子能譜系統(tǒng)（UPS），HeI/II雙激發(fā)源

5.BrukerDimensionIcon：原子力顯微鏡集成開(kāi)爾文探針模塊（KPFM）

6.RBDInstrumentsDLTS系統(tǒng)：溫度掃描范圍80-500K，頻率分辨率0.1Hz

7.ScientaOmicronDA30-L：角分辨光電子能譜儀（ARPES），角度接收范圍30

8.KeysightB1500A半導(dǎo)體分析儀：支持準(zhǔn)靜態(tài)C-V法功函數(shù)測(cè)量

9.ULVAC-PHIVersaProbeIV：微區(qū)XPS系統(tǒng)，空間分辨率7.5μm

10.RHKTechnologyR9：低溫STM/XPS聯(lián)合系統(tǒng)（4.2K），能量分辨率8meV

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)