參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1. 晶面間距測量：精度±0.0001nm（采用(004)晶面標(biāo)定）

2. 高階衍射強(qiáng)度比：Kα?/Kα?≤0.5（ASTM E1426規(guī)定值）

3. 晶格畸變分析：應(yīng)變分辨率達(dá)1×10??

4. 缺陷密度計算：位錯密度≥10? cm?2時檢出限

5. 織構(gòu)系數(shù)測定：ODF分析精度±0.5°

檢測范圍

1. 半導(dǎo)體材料：SiC單晶襯底（4H/6H型）、GaN外延層（厚度＞2μm）

2. 金屬合金：鎳基高溫合金（γ'相含量＞40%）、鈦鋁基復(fù)合材料

3. 陶瓷材料：氧化鋯增韌陶瓷（四方相含量＞70%）、氮化硅結(jié)構(gòu)件

4. 高分子材料：液晶聚合物薄膜（取向度＞85%）

5. 納米材料：量子點(diǎn)超晶格（周期＜10nm）

檢測方法

1. ASTM E1426-14：X射線衍射法測定殘余應(yīng)力

2. ISO 22278:2020：電子背散射衍射(EBSD)晶體取向分析

3. GB/T 13298-2015：金屬顯微組織檢驗方法

4. ISO 24173:2009：微束電子衍射納米結(jié)構(gòu)表征

5. GB/T 36065-2018：納米材料X射線衍射分析方法

檢測設(shè)備

1. Rigaku SmartLab X射線衍射儀：配備9kW旋轉(zhuǎn)陽極靶，最小步進(jìn)角0.0001°

2. FEI Talos F200X透射電鏡：200kV場發(fā)射槍，STEM模式分辨率0.16nm

3. Bruker D8 DISCOVER三維XRD系統(tǒng)：Hi-Star二維探測器，μ聚焦光斑10μm

4. Oxford Instruments Symmetry EBSD探測器：全菊池帶采集速度＞3000點(diǎn)/秒

5. Malvern Panalytical Empyrean XRD平臺：PIXcel3D探測器動態(tài)范圍10?:1

6. JEOL JEM-ARM300F原子分辨率電鏡：信息極限0.08nm（300kV）

7. Proto LXRD殘余應(yīng)力分析儀：Ψ幾何配置±45°傾角范圍

8. Bruker AXS DECTRIS PILATUS3 R 1M探測器：動態(tài)范圍20bit

9. PANalytical X'Pert3 MRD XL系統(tǒng)：五軸測角器精度±0.0001°

10. TESCAN CLARA掃描電鏡：配備NordlysMax3 EBSD系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)