參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.晶格常數(shù)測(cè)定：測(cè)量單胞參數(shù)（a,b,c）及角度（α,β,γ），誤差范圍0.001。

2.位錯(cuò)密度分析：通過TEM或XRD計(jì)算位錯(cuò)密度（單位：10¹⁴m^-2）。

3.織構(gòu)取向表征：利用EBSD獲取極圖與反極圖數(shù)據(jù)。

4.殘余應(yīng)力測(cè)試：采用sinψ法測(cè)量應(yīng)力值（精度20MPa）。

5.相組成分析：定量測(cè)定α相、γ相含量（誤差≤1%）。

檢測(cè)范圍

1.鋁合金：用于航空航天結(jié)構(gòu)件晶粒尺寸控制。

2.鈦合金：生物醫(yī)用植入物表面織構(gòu)優(yōu)化。

3.高溫合金：渦輪葉片蠕變損傷評(píng)估。

4.不銹鋼：焊接接頭殘余應(yīng)力分布研究。

5.半導(dǎo)體材料：硅晶圓位錯(cuò)密度檢測(cè)。

檢測(cè)方法

1.X射線衍射（XRD）：ASTME975、GB/T8362。

2.透射電子顯微鏡（TEM）：ISO25498:2018。

3.電子背散射衍射（EBSD）：ASTME2627。

4.中子衍射法：ISO21484:2017。

5.同步輻射技術(shù)：GB/T36065-2018。

檢測(cè)設(shè)備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀：高分辨率晶體結(jié)構(gòu)分析。

2.FEITalosF200X透射電鏡：納米級(jí)位錯(cuò)觀測(cè)（分辨率0.12nm）。

3.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測(cè)器：高速面掃（3000點(diǎn)/秒）。

4.BrukerD8DiscoverXRD系統(tǒng)：殘余應(yīng)力自動(dòng)測(cè)繪。

5.JEOLJSM-7900F掃描電鏡：結(jié)合EBSD實(shí)現(xiàn)微區(qū)取向分析。

6.PANalyticalEmpyreanXRD平臺(tái)：多相材料定量分析。

7.ZeissSigma500場(chǎng)發(fā)射電鏡：大樣品室三維重構(gòu)。

8.MalvernPanalyticalX'Pert3MRD：薄膜材料晶格應(yīng)變測(cè)試

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)