參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 晶型種類鑒定：通過XRD圖譜比對(duì)確定α/β/γ相等多晶型態(tài)（分辨率≤0.02°）

2. 晶粒尺寸分析：測(cè)量平均粒徑分布（范圍10nm-500μm）

3. 結(jié)晶度測(cè)定：計(jì)算非晶/結(jié)晶相比例（精度±0.5%）

4. 晶面取向分析：測(cè)定(001)/(101)等特定晶面夾角（誤差±0.1°）

5. 晶體缺陷檢測(cè)：識(shí)別位錯(cuò)密度與層錯(cuò)率（檢出限≥1E6/cm2）

檢測(cè)范圍

1. 金屬材料：鋁合金/鈦合金的相變分析

2. 無機(jī)非金屬：陶瓷/玻璃的微晶結(jié)構(gòu)表征

3. 高分子材料：聚乙烯/聚丙烯的結(jié)晶度測(cè)定

4. 藥物制劑：API原料藥的多晶型篩查

5. 半導(dǎo)體材料：硅片/GaN的晶體缺陷檢測(cè)

檢測(cè)方法

1. ASTM E112-13：金屬平均晶粒度測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)

2. ISO 13383-1:2012：XRD定量相分析規(guī)范

3. GB/T 13298-2015：金屬顯微組織檢驗(yàn)方法

4. ASTM D3895-14：聚合物結(jié)晶溫度測(cè)試規(guī)程

5. GB/T 23413-2009：納米材料晶體結(jié)構(gòu)表征指南

檢測(cè)設(shè)備

1. Rigaku SmartLab X射線衍射儀：全自動(dòng)θ-θ測(cè)角儀（精度0.0001°）

2. Malvern Mastersizer 3000激光粒度儀：干濕法兩用粒徑分析

3. FEI Talos F200X透射電鏡：納米級(jí)晶體缺陷觀測(cè)（分辨率0.16nm）

4. Netzsch DSC 214差示掃描量熱儀：結(jié)晶度精確測(cè)定（±0.1℃）

5. Bruker D8 ADVANCE XRD系統(tǒng)：高溫原位晶體結(jié)構(gòu)分析

6. Oxford Instruments EBSD探測(cè)器：微區(qū)晶體取向測(cè)繪

7. Shimadzu XRD-7000粉末衍射儀：符合JCPDS數(shù)據(jù)庫(kù)比對(duì)

8. Zeiss Sigma 500場(chǎng)發(fā)射SEM：大樣品室電子背散射衍射

9. Anton Paar XRDynamic 500：應(yīng)力/織構(gòu)同步分析系統(tǒng)

10. Panalytical Empyrean XRD平臺(tái)：薄膜晶體結(jié)構(gòu)專用分析

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)