參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

1. 晶粒平均直徑測量：基于截距法或面積法計算等效直徑（范圍0.1-2000μm）

2. 晶粒尺寸分布統(tǒng)計：統(tǒng)計D10/D50/D90分位值及變異系數(shù)（CV≤15%）

3. 晶粒形狀系數(shù)分析：測定長寬比（1.0-5.0）和圓度（0.6-1.0）

4. 晶界取向差分布：EBSD技術測量取向差角度（2°-62°）

5. 異常晶粒比例：識別超過平均尺寸3倍以上的異常晶粒（閾值≤2%）

檢測范圍

1. 金屬材料：鋁合金（AA6061）、鈦合金（TC4）、不銹鋼（316L）等軋制/鑄造產(chǎn)品

2. 陶瓷材料：氧化鋁（Al?O?）、氮化硅（Si?N?）等燒結體

3. 粉末冶金制品：硬質合金（WC-Co）、金屬注射成型件

4. 半導體材料：多晶硅錠、砷化鎵晶圓

5. 高分子材料：聚乙烯（PE）球晶、聚丙烯（PP）薄膜

檢測方法

1. ASTM E112-13：標準晶粒度測定方法（截距法/比較法）

2. ISO 643:2019：鋼的奧氏體晶粒度測定規(guī)范

3. GB/T 6394-2017：金屬平均晶粒度測定方法

4. GB/T 13298-2015：金屬顯微組織檢驗方法

5. ISO 13383-1:2012：精細陶瓷顯微結構表征指南

檢測設備

1. 掃描電子顯微鏡（SEM）：蔡司Sigma 500，分辨率1nm，配備EBSD探頭

2. 金相顯微鏡：奧林巴斯GX53，最大放大倍數(shù)1000×

3. 圖像分析系統(tǒng)：Image-Pro Plus 10.0，支持ASTM E112自動評級

4. X射線衍射儀（XRD）：布魯克D8 ADVANCE，Scherrer公式計算晶粒尺寸

5. 激光粒度分析儀：馬爾文Mastersizer 3000，測量范圍0.01-3500μm

6. 電解拋光儀：斯特爾斯LectroPol-5，用于金屬樣品制備

7. 離子研磨儀：日立IM4000Plus，非導電樣品處理

8. 超薄切片機：萊卡EM UC7，高分子樣品制備

9. EBSD探測器：牛津儀器Symmetry S2，角分辨率0.5°

10. 高溫共聚焦顯微鏡：激光tec VL2000DX-SVF17SP，實時觀察晶粒生長

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質