參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)：通過(guò)XRD測(cè)定晶胞參數(shù)（a,b,c軸誤差≤0.5%）、晶面間距偏差（Δd/d≤0.2%）

2. 尺寸精度：直徑公差（±0.01mm）、直線度（≤0.05mm/m）、端面垂直度（≤0.02°）

3. 表面粗糙度：Ra值（≤0.4μm）、劃痕深度（≤5μm）、崩邊尺寸（≤50μm）

4. 成分分析：主元素含量偏差（±0.3wt%）、摻雜均勻性（CV值≤2.5%）

5. 力學(xué)性能：維氏硬度（HV 0.5≥800）、抗彎強(qiáng)度（≥500MPa）

檢測(cè)范圍

1. 半導(dǎo)體單晶材料：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等III-V族化合物棒狀晶體

2. 激光晶體材料：摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG)、鈦寶石(Al?O?:Ti3?)等光學(xué)級(jí)晶體

3. 壓電晶體材料：鈮酸鋰(LiNbO?)、鉭酸鋰(LiTaO?)等軸向切割晶體棒

4. 超硬材料：人造金剛石單晶棒、立方氮化硼(cBN)生長(zhǎng)體

5. 生物醫(yī)用晶體：羥基磷灰石(HA)、β-磷酸三鈣(β-TCP)生物陶瓷棒

檢測(cè)方法

ASTM E112-13 晶粒度測(cè)定方法（適用金屬基晶體）

ISO 13383-1:2012 精細(xì)陶瓷顯微結(jié)構(gòu)表征（適用陶瓷晶體）

GB/T 16594-2008 微米級(jí)長(zhǎng)度的掃描電鏡測(cè)量方法

ASTM E2867-14 X射線衍射殘余應(yīng)力測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 4340.1-2009 金屬材料維氏硬度試驗(yàn)

檢測(cè)設(shè)備

Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀：晶格常數(shù)測(cè)定精度±0.0001nm

Zeiss Sigma 500場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡：分辨率達(dá)0.8nm@15kV

Mitutoyo CMM-20000三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)：空間精度(1.9+L/250)μm

TA Instruments Q800動(dòng)態(tài)機(jī)械分析儀：溫度范圍-150~600℃

Shimadzu HMV-G21顯微硬度計(jì)：載荷范圍10gf-2kgf

PerkinElmer STA8000同步熱分析儀：TG/DSC同步測(cè)量精度±0.1μg

Olympus LEXT OLS5000激光共聚焦顯微鏡：Z軸分辨率10nm

Malvern Panalytical Epsilon 4 XRF光譜儀：元素檢測(cè)限達(dá)ppm級(jí)

Agilent 5500 AFM原子力顯微鏡：橫向分辨率0.1nm

Instron 5985萬(wàn)能材料試驗(yàn)機(jī)：最大載荷150kN精度±0.5%

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)