參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.位錯(cuò)密度測(cè)量：通過腐蝕坑法測(cè)定(10-10?cm?)
2.晶格常數(shù)測(cè)定：X射線衍射法精度0.0001nm
3.載流子濃度測(cè)試：霍爾效應(yīng)儀測(cè)量(10-10?cm?)
4.缺陷分布成像：陰極熒光顯微鏡分辨率≤50nm
5.熱應(yīng)力分析：紅外熱像儀測(cè)溫范圍-20~1500℃

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體單晶材料：硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)
2.光學(xué)功能晶體：鈮酸鋰(LiNbO?)、藍(lán)寶石(Al?O?)
3.金屬單晶材料：銅(Cu)、鎳基高溫合金
4.超導(dǎo)晶體材料：釔鋇銅氧(YBCO)、二硼化鎂(MgB?)
5.光伏材料：碲化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒(CIGS)

檢測(cè)方法

1.ASTMF47-2018硅單晶位錯(cuò)密度測(cè)試規(guī)程
2.ISO14707:2015輝光放電質(zhì)譜成分分析
3.GB/T1551-2021硅單晶電阻率測(cè)定方法
4.ISO21466:2019X射線形貌術(shù)缺陷表征
5.GB/T35030-2018碳化硅單晶X射線雙晶衍射測(cè)試

檢測(cè)設(shè)備

1.JEOLJSM-7900F場發(fā)射掃描電鏡：二次電子分辨率0.8nm
2.BrukerD8AdvanceX射線衍射儀：測(cè)角儀精度0.0001
3.KeysightB1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀：電流分辨率0.1fA
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系統(tǒng)：空間分辨率3nm
5.ThermoScientificHeliosG4UX聚焦離子束：束流穩(wěn)定性0.1%
6.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光譜儀：光譜分辨率0.35cm?
7.KLASurfscanSP7無接觸面型儀：表面粗糙度測(cè)量精度0.01
8.Agilent5500原子力顯微鏡：Z軸分辨率0.05nm
9.FEITecnaiG2F20透射電鏡：點(diǎn)分辨率0.19nm
10.VeecoDimensionIcon掃描探針顯微鏡：最大掃描范圍90μm

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)