參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

1.薄膜厚度：測量范圍50nm-10μm，精度1.5%，采用非接觸式光學干涉法
2.元素成分分析：檢測III-V族元素（Ga,As,In）比例偏差≤0.5at%
3.結晶質量：XRD半高寬（FWHM）≤200arcsec
4.表面粗糙度：AFM測試Ra≤0.3nm（55μm掃描區(qū)域）
5.載流子濃度：霍爾效應測試范圍1E15-1E19cm?
6.界面缺陷密度：CV法測定≤1E11cm?eV?

檢測范圍

1.III-V族化合物半導體：GaN、AlGaAs、InP外延層
2.LED外延片：藍寶石襯底上的InGaN/GaN多層結構
3.太陽能電池薄膜：CIGS吸收層與緩沖層界面
4.光學涂層：ZnO/Al?O?抗反射膜堆疊體系
5.二維材料：MoS?/WSe?異質結的層間耦合分析

檢測方法

1.ASTMF76-08(2016)：半導體薄膜電學特性測試標準
2.ISO14606:2015：深度剖析的濺射速率校準規(guī)范
3.GB/T32281-2015：半導體材料霍爾效應測試方法
4.ISO21283:2018：納米薄膜厚度橢偏測量技術規(guī)范
5.GB/T35031-2018：金屬有機氣相沉積設備驗收標準
6.ASTME112-13：晶粒尺寸測定標準試驗方法

檢測設備

1.X射線衍射儀（PANalyticalX'Pert3MRD）：用于晶體結構分析與應變測量
2.橢圓偏振儀（J.A.WoollamM-2000D）：實現0.1nm級薄膜厚度實時監(jiān)測
3.原子力顯微鏡（BrukerDimensionIcon）：表面形貌三維重構與粗糙度量化
4.二次離子質譜儀（CAMECAIMS7f）：深度分辨率達1nm的成分剖面分析
5.霍爾效應測試系統(tǒng)（LakeShore8404）：磁場強度1T下載流子遷移率測定
6.光致發(fā)光譜儀（HoribaLabRAMHREvolution）：77K低溫PL光譜缺陷表征
7.掃描電子顯微鏡（HitachiSU5000）：EDS面分布分析元素偏析現象
8.臺階儀（KLATencorP-7）：10分辨率驗證膜層臺階高度
9.X射線光電子能譜（ThermoScientificK-Alpha+）：化學態(tài)分析結合深度刻蝕
10.四探針電阻率測試儀（LucasLabsS302-4）：薄層電阻測量精度0.5%

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質