金屬有機氣相沉積檢測摘要:檢測項目1.薄膜厚度:測量范圍50nm-10μm,精度1.5%,采用非接觸式光學干涉法2.元素成分分析:檢測III-V族元素(Ga,As,In)比例偏差≤0.5at%3.結晶質量:XRD半高寬(FWHM)≤200arcsec4.表面粗糙度:AFM測試Ra≤0.3nm(55μm掃描區(qū)域)5.載流子濃度:霍爾效應測試范圍1E15-1E19cm?6.界面缺陷密度:CV法測定≤1E11cm?eV?檢測范圍1.III-V族化合物半導體:GaN、AlGaAs、InP外延層2.LED外延片:藍寶石襯底上的InGaN/G
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。
1.薄膜厚度:測量范圍50nm-10μm,精度1.5%,采用非接觸式光學干涉法
2.元素成分分析:檢測III-V族元素(Ga,As,In)比例偏差≤0.5at%
3.結晶質量:XRD半高寬(FWHM)≤200arcsec
4.表面粗糙度:AFM測試Ra≤0.3nm(55μm掃描區(qū)域)
5.載流子濃度:霍爾效應測試范圍1E15-1E19cm?
6.界面缺陷密度:CV法測定≤1E11cm?eV?
1.III-V族化合物半導體:GaN、AlGaAs、InP外延層
2.LED外延片:藍寶石襯底上的InGaN/GaN多層結構
3.太陽能電池薄膜:CIGS吸收層與緩沖層界面
4.光學涂層:ZnO/Al?O?抗反射膜堆疊體系
5.二維材料:MoS?/WSe?異質結的層間耦合分析
1.ASTMF76-08(2016):半導體薄膜電學特性測試標準
2.ISO14606:2015:深度剖析的濺射速率校準規(guī)范
3.GB/T32281-2015:半導體材料霍爾效應測試方法
4.ISO21283:2018:納米薄膜厚度橢偏測量技術規(guī)范
5.GB/T35031-2018:金屬有機氣相沉積設備驗收標準
6.ASTME112-13:晶粒尺寸測定標準試驗方法
1.X射線衍射儀(PANalyticalX'Pert3MRD):用于晶體結構分析與應變測量
2.橢圓偏振儀(J.A.WoollamM-2000D):實現0.1nm級薄膜厚度實時監(jiān)測
3.原子力顯微鏡(BrukerDimensionIcon):表面形貌三維重構與粗糙度量化
4.二次離子質譜儀(CAMECAIMS7f):深度分辨率達1nm的成分剖面分析
5.霍爾效應測試系統(tǒng)(LakeShore8404):磁場強度1T下載流子遷移率測定
6.光致發(fā)光譜儀(HoribaLabRAMHREvolution):77K低溫PL光譜缺陷表征
7.掃描電子顯微鏡(HitachiSU5000):EDS面分布分析元素偏析現象
8.臺階儀(KLATencorP-7):10分辨率驗證膜層臺階高度
9.X射線光電子能譜(ThermoScientificK-Alpha+):化學態(tài)分析結合深度刻蝕
10.四探針電阻率測試儀(LucasLabsS302-4):薄層電阻測量精度0.5%
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質:旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。
標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。
非標測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務。
中析金屬有機氣相沉積檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師