彎晶分光計(jì)檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.晶格常數(shù)偏差:測(cè)量范圍0.03,重復(fù)性誤差≤0.00152.衍射效率:測(cè)試波長(zhǎng)0.1-2.4nm,相對(duì)效率偏差≤3%3.角度分辨率:最小步進(jìn)0.0005,定位精度0.0024.能量分辨率:全能量范圍(5-30keV)FWHM<0.8eV5.熱穩(wěn)定性:溫控精度0.1℃,24小時(shí)漂移<0.003檢測(cè)范圍1.半導(dǎo)體材料:Si(111)/Ge(220)單晶基片2.金屬合金:鎳基高溫合金、鈦鋁金屬間化合物3.光學(xué)薄膜:W/B4C多層膜(周期2-10nm)4.陶瓷材料:Al2O3/ZrO2復(fù)相陶瓷5.
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.晶格常數(shù)偏差:測(cè)量范圍0.03,重復(fù)性誤差≤0.0015
2.衍射效率:測(cè)試波長(zhǎng)0.1-2.4nm,相對(duì)效率偏差≤3%
3.角度分辨率:最小步進(jìn)0.0005,定位精度0.002
4.能量分辨率:全能量范圍(5-30keV)FWHM<0.8eV
5.熱穩(wěn)定性:溫控精度0.1℃,24小時(shí)漂移<0.003
1.半導(dǎo)體材料:Si(111)/Ge(220)單晶基片
2.金屬合金:鎳基高溫合金、鈦鋁金屬間化合物
3.光學(xué)薄膜:W/B4C多層膜(周期2-10nm)
4.陶瓷材料:Al2O3/ZrO2復(fù)相陶瓷
5.納米粉末:Fe3O4磁性納米顆粒(粒徑10-50nm)
ASTME975-2020晶體取向的X射線(xiàn)衍射測(cè)定方法
ISO14706:2014表面化學(xué)分析-晶體學(xué)參數(shù)測(cè)定規(guī)范
GB/T13301-2019金屬材料X射線(xiàn)衍射應(yīng)力測(cè)定方法
GB/T39489-2020同步輻射雙晶單色器性能測(cè)試規(guī)范
ISO20283-6:2017機(jī)械振動(dòng)-晶體諧振器測(cè)試導(dǎo)則
1.RigakuSmartLab:配備9kW旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極靶,支持高/低角度衍射分析
2.BrukerD8Discover:配置VANTEC-500探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)快速微區(qū)掃描
3.PANalyticalEmpyrean:采用PIXcel3D探測(cè)器,支持3D晶體結(jié)構(gòu)解析
4.ShimadzuXRD-7000:配備高溫附件(RT-1600℃),研究相變過(guò)程
5.MalvernPanalyticalAeris:集成應(yīng)力分析模塊,測(cè)量精度5MPa
6.ThermoScientificARLEQUINOX100:輕量化設(shè)計(jì)(<50kg),支持現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
7.ProtoLXRD:專(zhuān)用殘余應(yīng)力分析儀,空間分辨率0.5mm
8.XenocsXeuss3.0:小角散射模式(SAXS),適用于納米結(jié)構(gòu)表征
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
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