參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.晶體結(jié)構(gòu)分析：X射線衍射（XRD）全譜掃描（2θ范圍5-90），晶格常數(shù)偏差≤0.002

2.元素成分檢測(cè)：X射線熒光光譜（XRF）定量分析（Na-U元素檢出限0.01%），ICP-MS痕量元素檢測(cè)（ppb級(jí)精度）

3.位錯(cuò)密度測(cè)定：化學(xué)腐蝕法（KOH:NaOH=1:3混合液），腐蝕時(shí)間305s/μm

4.表面粗糙度測(cè)試：白光干涉儀測(cè)量（Ra≤0.5nmRMS），掃描面積11mm

5.熱穩(wěn)定性評(píng)估：TG-DSC同步熱分析（RT-1500℃，升溫速率10℃/min）

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體單晶材料：單晶硅（φ300mm）、砷化鎵（4英寸）、碳化硅（6H/4H型）

2.光學(xué)晶體制品：氟化鈣透鏡（Φ50mm）、鈮酸鋰調(diào)制器（Z切型）、藍(lán)寶石窗口片

3.壓電晶體元件：石英諧振器（AT切角3515′5′）、鉭酸鋰換能器

4.人工合成晶體：CVD金剛石膜（厚度100-500μm）、水熱法合成α-Al?O?

5.晶體加工耗材：金剛石線鋸（Φ0.15mm）、CMP拋光液（SiO?粒徑50nm）

檢測(cè)方法

ASTME915-16殘余應(yīng)力X射線衍射測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

ISO14707:2015輝光放電光譜表面分析通則

GB/T16594-2008微米級(jí)長度掃描電鏡測(cè)量方法

GB/T33324-2016激光散射法粒度分布測(cè)定

ISO20565-3:2008耐火材料XRF化學(xué)分析規(guī)程

檢測(cè)設(shè)備

1.PANalyticalX'Pert3PowderX射線衍射儀：配備Cu靶光源（λ=1.5406），測(cè)角儀精度0.0001

2.HitachiSU5000場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡：分辨率1.0nm@15kV，配備EDS能譜探頭

3.BrukerD8DISCOVERX射線應(yīng)力分析儀：Ψ角掃描范圍45，應(yīng)力測(cè)量精度20MPa

4.PerkinElmerNexION350DICP-MS：質(zhì)量數(shù)范圍3-300amu，檢出限＜0.1ppt

5.ZygoNewView9000白光干涉儀：垂直分辨率0.1nm，最大掃描面積1010mm

6.NetzschSTA449F3同步熱分析儀：溫度精度0.1℃，TG分辨率0.1μg

7.MalvernMastersizer3000激光粒度儀：測(cè)量范圍0.01-3500μm，重復(fù)性誤差＜0.5%

8.AgilentCary7000紫外可見分光光度計(jì)：波長范圍175-1800nm，光度精度0.0003A

9.KeysightE4990A阻抗分析儀：頻率范圍20Hz-120MHz，基本精度0.045%

10.MitutoyoSJ-410表面粗糙度儀：行程長度17.5mm，Z軸分辨率0.01μm

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)