參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.晶面取向偏差：測(cè)量主平面與理論晶面的角度偏差（0.05）
2.表面粗糙度：Ra值范圍0.1-10nm（白光干涉儀測(cè)量）
3.晶格常數(shù)驗(yàn)證：XRD測(cè)定誤差≤0.0005nm
4.位錯(cuò)密度分析：蝕刻法測(cè)定密度范圍10-10?/cm
5.表面平整度：激光干涉儀測(cè)量平面度≤λ/20（λ=632.8nm）

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體單晶材料：硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等300mm以下晶圓
2.激光晶體元件：Nd:YAG、鈦寶石等光學(xué)級(jí)晶體棒材
3.壓電晶體基片：石英(α-SiO?)、鈮酸鋰(LiNbO?)基片
4.硬質(zhì)晶體材料：藍(lán)寶石(Al?O?)、碳化硅(SiC)襯底片
5.特種功能晶體：BGO閃爍晶體、KDP非線性光學(xué)晶體

檢測(cè)方法

1.X射線衍射法：ASTMF26標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定晶面取向
2.激光共聚焦法：ISO25178標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量表面形貌
3.化學(xué)蝕刻法：GB/T1555-2021半導(dǎo)體單晶測(cè)試規(guī)范
4.電子背散射衍射：ISO24173標(biāo)準(zhǔn)分析晶體結(jié)構(gòu)
5.白光干涉法：GB/T29558-2013表面粗糙度測(cè)量規(guī)程

檢測(cè)設(shè)備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀：θ/θ測(cè)角儀系統(tǒng)（精度0.0001）
2.BrukerDektakXT輪廓儀：12nm垂直分辨率觸針式測(cè)量
3.ZygoNewView9000白光干涉儀：0.1nm縱向分辨率
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系統(tǒng)：空間分辨率50nm
5.MitutoyoCrysta-ApexS116坐標(biāo)測(cè)量機(jī)：U軸重復(fù)精度0.3μm
6.KeyenceVK-X3000激光共聚焦顯微鏡：408nm激光波長(zhǎng)
7.PanasonicUA3P三維輪廓儀：0.8nmRMS噪聲水平
8.ThermoScientificPrismaESEM：1nm分辨率電子成像
9.Agilent5500AFM原子力顯微鏡：亞埃級(jí)表面形貌分析
10.NikonMM-400測(cè)量顯微鏡：15倍物鏡+CCD數(shù)字成像系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)