參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

1.耐久性測試：擦寫次數(shù)（P/ECycles）≥3000次@25℃；數(shù)據(jù)保持時間≥1年@85℃；
2.電性能測試：工作電壓范圍1.8V-3.3V5%；靜態(tài)電流≤100μA；
3.環(huán)境適應性測試：高溫存儲（125℃/1000h）、低溫運行（-40℃/48h）、濕熱循環(huán)（95%RH/40℃）；
4.數(shù)據(jù)完整性驗證：誤碼率（BER）≤1E-12；RAID重建成功率≥99.9%；
5.物理結構分析：X射線分層掃描（分辨率≤1μm）、焊點剪切力≥5N。

檢測范圍

1.NAND閃存芯片（SLC/MLC/TLC/QLC）；
2.消費級/企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）；
3.嵌入式存儲模塊（eMMC/UFS）；
4.工業(yè)級寬溫存儲卡（-40℃~105℃）；
5.NVMe協(xié)議企業(yè)級存儲陣列。

檢測方法

1.ASTMF2182-19：閃存器件數(shù)據(jù)保留測試；
2.ISO/IEC10373-2:2020：智能卡物理特性檢測；
3.GB/T26225-2010：SSD通用規(guī)范；
4.JEDECJESD218A：固態(tài)硬盤耐久性驗證；
5.GB/T34943-2017：移動終端嵌入式存儲性能測試。

檢測設備

1.KeysightB1500A半導體參數(shù)分析儀：支持nA級漏電流測量；
2.Chroma7123高速閃存測試系統(tǒng)：最大時鐘頻率200MHz；
3.ThermoStreamT-2600溫度沖擊箱：溫變速率45℃/min；
4.AgilentN9020A信號分析儀：頻率范圍10Hz~26.5GHz；
5.NordsonDAGEX-rayXTH225ST：3D斷層掃描精度0.5μm；
6.Instron5944微力試驗機：載荷分辨率0.001N；
7.ESPECSH-642恒溫恒濕箱：濕度控制2%RH；
8.TektronixDPO73304SX示波器：帶寬33GHz；
9.HALT/HASS綜合振動臺：最大加速度60Grms；
10.CSTStudio電磁兼容仿真平臺：支持PCIe5.0信號完整性分析。

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質