參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.雙折射率測(cè)定：測(cè)量范圍0.001-0.300，精度0.0005
2.消光角分析：角度分辨率0.1，重復(fù)性誤差≤0.3
3.晶體形貌表征：空間分辨率0.5μm，放大倍數(shù)50-1000X
4.應(yīng)力分布檢測(cè)：靈敏度0.1nm/cm，測(cè)量區(qū)域≥10μm
5.取向度測(cè)量：取向因子計(jì)算誤差≤2%，支持二維取向分布圖

檢測(cè)范圍

1.高分子材料：聚乙烯薄膜結(jié)晶度分析、聚丙烯纖維取向度測(cè)定
2.礦物巖石：石英雙折射率測(cè)定、方解石晶體結(jié)構(gòu)表征
3.液晶顯示材料：TFT-LCD盒厚測(cè)量精度0.05μm
4.生物組織：膠原纖維排列方向分析誤差≤3
5.金屬合金：冷軋板材殘余應(yīng)力分布檢測(cè)

檢測(cè)方法

ASTME766-14(2020)：偏光顯微鏡校準(zhǔn)規(guī)范
ISO8578:2017：礦物薄片光學(xué)特性測(cè)試方法
GB/T20307-2018：晶體材料雙折射率測(cè)量通則
GB/T19421.3-2008：層狀晶體分子取向測(cè)定法
ISO21363:2020：納米材料晶體結(jié)構(gòu)表征技術(shù)規(guī)范

檢測(cè)設(shè)備

1.OlympusBX53-P：配備U-CTB偏振器組，支持λ補(bǔ)償器定量測(cè)量
2.LeicaDM4P：配置LAS圖像分析模塊，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)消光角計(jì)算
3.NikonLV100ND-POL：集成DS-Fi3相機(jī)系統(tǒng)，支持500萬(wàn)像素?cái)?shù)字成像
4.ZeissAxioImagerM2m：搭配CRYSTAL偏振組件，雙折射率測(cè)量精度達(dá)0.0003
5.KeyenceVHX-7000：具備3D偏振成像功能，最大放大倍數(shù)5000X
6.HitachiTM4000-POL：臺(tái)式電鏡聯(lián)用系統(tǒng)，支持微區(qū)應(yīng)力分析
7.BrukerContourGT-X3：白光偏振干涉儀，表面粗糙度檢測(cè)分辨率0.1nm
8.ShimadzuAIM-9000：高溫偏振模塊工作溫度范圍25-1500℃
9.AgilentCary7000：全自動(dòng)紫外-可見(jiàn)偏振光譜系統(tǒng)
10.MalvernMorphologi4-POL：集成激光散射的顆粒形貌分析系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱(chēng)：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)