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功率電子學檢測

2025-05-21 關(guān)鍵詞:功率電子學項目報價,功率電子學測試儀器,功率電子學測試標準 相關(guān):
功率電子學檢測

功率電子學檢測摘要:檢測項目1.靜態(tài)參數(shù)測試:漏極電流(IDSS)、閾值電壓(VGS(th))、導通電阻(RDS(on))2.動態(tài)特性分析:開關(guān)時間(ton/toff)、反向恢復(fù)時間(trr)、柵極電荷(Qg)3.熱阻特性測試:結(jié)-殼熱阻(RthJC)、殼-散熱器熱阻(RthCH)4.絕緣耐壓驗證:介質(zhì)耐壓(AC3kV/1min)、絕緣電阻(≥100MΩ@500VDC)5.EMI傳導干擾測試:頻率范圍150kHz-30MHz,限值符合CISPR11ClassA檢測范圍1.IGBT模塊:電壓等級600V-6500V,電流容量5

參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.靜態(tài)參數(shù)測試:漏極電流(IDSS)、閾值電壓(VGS(th))、導通電阻(RDS(on))
2.動態(tài)特性分析:開關(guān)時間(ton/toff)、反向恢復(fù)時間(trr)、柵極電荷(Qg)
3.熱阻特性測試:結(jié)-殼熱阻(RthJC)、殼-散熱器熱阻(RthCH)
4.絕緣耐壓驗證:介質(zhì)耐壓(AC3kV/1min)、絕緣電阻(≥100MΩ@500VDC)
5.EMI傳導干擾測試:頻率范圍150kHz-30MHz,限值符合CISPR11ClassA

檢測范圍

1.IGBT模塊:電壓等級600V-6500V,電流容量50A-3600A
2.MOSFET器件:超結(jié)結(jié)構(gòu)/平面結(jié)構(gòu),耐壓20V-900V
3.SiC/GaN寬禁帶半導體器件:單芯片及模塊化封裝
4.電源模塊:AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC變換器
5.整流二極管:快恢復(fù)二極管(FRD)、肖特基二極管(SBD)

檢測方法

1.IEC60747-9:2019《半導體器件-分立器件-第9部分:絕緣柵雙極晶體管》
2.GB/T4023-2015《半導體器件分立器件和集成電路第6部分:晶閘管》
3.JEDECJESD51-14《瞬態(tài)雙界面測試法測量結(jié)殼熱阻》
4.ISO16750-2:2012《道路車輛電氣電子設(shè)備環(huán)境條件》振動試驗
5.GB/T17626.4-2018《電磁兼容試驗和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗》

檢測設(shè)備

1.KeysightB1505A功率器件分析儀:支持1700V/1000A脈沖測試
2.TektronixMSO646GHz示波器:配備IsoVu?隔離探頭系統(tǒng)
3.Chroma19032功率循環(huán)測試系統(tǒng):溫度沖擊范圍-55℃~175℃
4.FLIRX8500sc紅外熱像儀:空間分辨率1.1mrad,熱靈敏度20mK
5.EMTESTUCS500N6脈沖群發(fā)生器:滿足IEC61000-4-4Level4標準
6.AgilentE4980AL精密LCR表:頻率范圍20Hz至2MHz
7.ESPECPL-3KPH氣候箱:溫濕度范圍-70℃~180℃/10%~98%RH
8.OmicronLabBode100矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀:頻響分析至50MHz
9.HiokiPW3390功率分析儀:基本精度0.06%,帶寬5MHz
10.SchleifringHS40多軸振動臺:最大加速度100g@10kg負載

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試:支持定制化試驗方案。

售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析功率電子學檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師

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