參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.幾何參數(shù)：厚度（0.5μm）、總厚度變化（TTV≤3μm）、局部厚度變化（LTV≤1.5μm）、翹曲度（≤20μm）
2.表面質(zhì)量：表面粗糙度（Ra≤0.2nm）、劃痕密度（≤5條/cm）、顆粒污染（≤0.1μm顆粒數(shù)/片）
3.晶體特性：晶向偏差（＜0.5）、位錯密度（≤500/cm）、氧含量（10-18ppma）
4.電學(xué)性能：電阻率（0.001-100Ωcm）、少數(shù)載流子壽命（≥100μs）
5.潔凈度指標(biāo)：金屬雜質(zhì)濃度（Fe≤1E10atoms/cm,Cu≤5E9atoms/cm）

檢測范圍

1.半導(dǎo)體級拋光片：直徑200mm/300mm晶圓，電阻率0.001-50Ωcm
2.太陽能級拋光片：厚度150-200μm，氧含量≤14ppma
3.重?fù)缴?硼拋光片：摻雜濃度1E19-1E21atoms/cm
4.低氧碳拋光片：氧含量≤12ppma,碳含量≤1E16atoms/cm
5.SOI專用拋光片：埋氧層厚度145-200nm,頂層硅均勻性2nm

檢測方法

1.ASTMF533-15：幾何尺寸測量規(guī)范
2.ISO14644-1:2015：潔凈室顆粒污染測試
3.GB/T29505-2013：硅片表面缺陷檢驗方法
4.SEMIMF723-0707：電阻率四探針測試規(guī)程
5.GB/T1558-2021：硅中氧含量紅外吸收測定法
6.ISO14707:2020：輝光放電質(zhì)譜雜質(zhì)分析
7.ASTMF1392-00(2021)：少數(shù)載流子壽命微波光電導(dǎo)衰減法

檢測設(shè)備

1.KLA-TencorSurfscanSP3：激光散射表面缺陷掃描系統(tǒng)（0.12μm靈敏度）
2.ADEUltraGage9700：全自動幾何參數(shù)測量儀（分辨率0.1μm）
3.ThermoScientificNicoletiS50：傅里葉紅外光譜儀（氧碳分析精度0.3ppma）
4.FourDimensions280SI：四探針電阻率測試系統(tǒng)（量程0.0001-100Ωcm）
5.SemilabWT-2000：微波光電導(dǎo)少子壽命測試儀（動態(tài)范圍50ns-10ms）
6.BrukerDimensionIcon：原子力顯微鏡（表面粗糙度測量精度0.01nm）
7.ThermoFisheriCAPRQ：ICP-MS金屬雜質(zhì)分析儀（檢出限1E8atoms/cm）
8.HitachiSU5000：場發(fā)射掃描電鏡（表面形貌分析@1nm分辨率）
9.HoribaGD-Profiler2：輝光放電質(zhì)譜儀（全元素深度剖析）
10.NikonMM-400：金相顯微鏡（位錯密度分析@500倍放大）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)