參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.功函數(shù)測(cè)試：測(cè)量范圍0.5-6.0eV，精度0.02eV
2.熱發(fā)射電流密度：測(cè)試溫度300-2500K，量程10^-12-10^-3A/cm
3.場(chǎng)致發(fā)射閾值場(chǎng)強(qiáng)：電場(chǎng)強(qiáng)度0.1-50V/μm
4.二次電子產(chǎn)額系數(shù)：能量范圍0.1-30keV
5.表面逸出深度分析：分辨率達(dá)0.1nm

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體材料（GaAs、SiC等）
2.場(chǎng)發(fā)射顯示器陰極材料
3.真空電子器件電極
4.粒子加速器發(fā)射極
5.X射線管靶材

檢測(cè)方法

1.ASTMF312-18熱電子發(fā)射特性測(cè)試規(guī)程
2.ISO18503:2015場(chǎng)致發(fā)射表面分析標(biāo)準(zhǔn)
3.GB/T31469-2015半導(dǎo)體材料功函數(shù)測(cè)試方法
4.IEC60747-14-3電子器件二次發(fā)射測(cè)試規(guī)范
5.GB/T20234-2018真空電子材料表面處理評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)

檢測(cè)設(shè)備

1.蔡司Sigma500掃描電子顯微鏡：配備Inlens二次電子探測(cè)器
2.KeysightB1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀：支持fA級(jí)電流測(cè)量
3.OmicronUHV表面分析系統(tǒng)：含LEED/AES復(fù)合探頭
4.ThermoScientificESCALABXi+：XPS深度剖析功能
5.Agilent4156C精密源表：100aA分辨率電流測(cè)量
6.RBD公司Model9100場(chǎng)發(fā)射測(cè)試臺(tái)：最大場(chǎng)強(qiáng)50V/μm
7.LakeShoreCRX-VF低溫探針臺(tái)：溫控范圍4K-500K
8.UlvacPHI710掃描俄歇微探針：空間分辨率8nm
9.SPECSPhoibos150半球能量分析儀：能量分辨率0.1%
10.Keithley2636B雙通道源表：脈沖模式上升時(shí)間<10μs

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)