變?nèi)荻O管檢測摘要:檢測項目1.反向擊穿電壓(V_BR):測試范圍0-200V0.5%,擊穿電流閾值設(shè)定1μA2.結(jié)電容(C_j):測量頻率1MHz5kHz,電壓偏置0-30V可調(diào)3.品質(zhì)因數(shù)(Q值):頻率范圍100kHz-1GHz,測試電壓5Vrms4.溫度特性:-55℃~+150℃溫控箱內(nèi)測試電容溫度系數(shù)α_C≤50ppm/℃5.漏電流(I_R):反向電壓V_R=75%V_BR時測量值≤10nA檢測范圍1.硅基超突變結(jié)變?nèi)荻O管(如BBY系列)2.GaAs微波變?nèi)荻O管(MA/COMMA46系列)3.表面貼裝(SMD)微
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
1.反向擊穿電壓(V_BR):測試范圍0-200V0.5%,擊穿電流閾值設(shè)定1μA
2.結(jié)電容(C_j):測量頻率1MHz5kHz,電壓偏置0-30V可調(diào)
3.品質(zhì)因數(shù)(Q值):頻率范圍100kHz-1GHz,測試電壓5Vrms
4.溫度特性:-55℃~+150℃溫控箱內(nèi)測試電容溫度系數(shù)α_C≤50ppm/℃
5.漏電流(I_R):反向電壓V_R=75%V_BR時測量值≤10nA
1.硅基超突變結(jié)變?nèi)荻O管(如BBY系列)
2.GaAs微波變?nèi)荻O管(MA/COMMA46系列)
3.表面貼裝(SMD)微型變?nèi)莨埽↗DV2S系列)
4.高溫應(yīng)用陶瓷封裝器件(工作溫度≥175℃)
5.光控變?nèi)荻O管(光敏電容調(diào)節(jié)范圍≥3:1)
1.IEC60747-1半導(dǎo)體器件通用測試規(guī)范
2.GB/T4937-2012半導(dǎo)體器件機械和環(huán)境試驗方法
3.MIL-STD-750F方法1037反向特性測試
4.JEDECJESD22-A108E溫度循環(huán)試驗
5.ASTMF358-18(2023)微波器件參數(shù)測量規(guī)程
1.KeysightB1505A功率器件分析儀:支持2000V/1000A脈沖測試
2.Agilent4294A精密阻抗分析儀:40Hz-110MHz頻段C-V特性測量
3.TemptronicTP04300熱流儀:-70℃~+225℃快速溫變控制
4.R&SZNB40矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀:10MHz-40GHzS參數(shù)測試
5.Keithley2636B源表:100fA分辨率漏電流檢測
6.ESPECSH-642恒溫恒濕箱:0.5℃溫控精度
7.TektronixDPO7254示波器:2.5GHz帶寬瞬態(tài)響應(yīng)分析
8.Chroma19053耐壓測試儀:AC/DC5kV絕緣強度驗證
9.AdvantestU3741LCR表:0.05%基本精度電容測量
10.ThermonicsT-3000C真空探針臺:10^-6Torr環(huán)境參數(shù)測試
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。
標(biāo)準測試:嚴格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準檢測。
非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析變?nèi)荻O管檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師
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