晶間間距檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.晶面指數(shù)測(cè)定:測(cè)量(111)、(200)等特定晶面間距值,精度0.0022.晶格常數(shù)計(jì)算:基于布拉格方程反推單胞參數(shù),誤差允許范圍≤0.3%3.層錯(cuò)間距分析:識(shí)別面心立方結(jié)構(gòu)中堆垛層錯(cuò)導(dǎo)致的間距異常4.多相材料界面間距測(cè)量:復(fù)合體系相界區(qū)域0.2-5nm尺度表征5.納米晶體結(jié)構(gòu)表征:粒徑<50nm材料的晶格畸變量化分析檢測(cè)范圍1.金屬合金:鋁合金AA6061-T6時(shí)效處理后的亞晶界演變分析2.半導(dǎo)體材料:硅片(100)晶向外延生長(zhǎng)層厚度驗(yàn)證3.陶瓷材料:氧化鋁α-Al?O?相變過(guò)程的晶格膨脹監(jiān)
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.晶面指數(shù)測(cè)定:測(cè)量(111)、(200)等特定晶面間距值,精度0.002
2.晶格常數(shù)計(jì)算:基于布拉格方程反推單胞參數(shù),誤差允許范圍≤0.3%
3.層錯(cuò)間距分析:識(shí)別面心立方結(jié)構(gòu)中堆垛層錯(cuò)導(dǎo)致的間距異常
4.多相材料界面間距測(cè)量:復(fù)合體系相界區(qū)域0.2-5nm尺度表征
5.納米晶體結(jié)構(gòu)表征:粒徑<50nm材料的晶格畸變量化分析
1.金屬合金:鋁合金AA6061-T6時(shí)效處理后的亞晶界演變分析
2.半導(dǎo)體材料:硅片(100)晶向外延生長(zhǎng)層厚度驗(yàn)證
3.陶瓷材料:氧化鋁α-Al?O?相變過(guò)程的晶格膨脹監(jiān)測(cè)
4.納米材料:碳納米管壁間范德華作用距離測(cè)定
5.復(fù)合材料:碳纖維增強(qiáng)聚合物界面結(jié)合強(qiáng)度評(píng)估
ASTME112-13:采用XRD進(jìn)行多晶材料平均晶粒尺寸計(jì)算
ISO643:2019:規(guī)定TEM選區(qū)電子衍射標(biāo)定流程
GB/T13298-2015:金屬顯微組織檢驗(yàn)通則中的晶界顯示規(guī)范
ASTME2627-13:小角度X射線散射(SAXS)測(cè)定納米結(jié)構(gòu)周期
GB/T36075-2018:納米薄膜厚度測(cè)量的X射線反射法實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)
1.JEOLJEM-2100F場(chǎng)發(fā)射透射電鏡:配備STEM探頭實(shí)現(xiàn)0.14nm點(diǎn)分辨率
2.BrukerD8ADVANCEX射線衍射儀:Cu靶Kα輻射源配合LynxEye探測(cè)器
3.FEITalosF200XS/TEM:集成SuperX能譜系統(tǒng)的三維重構(gòu)功能
4.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD:配置高溫附件實(shí)現(xiàn)原位相變監(jiān)測(cè)
5.HitachiHF5000冷場(chǎng)發(fā)射電鏡:支持原子級(jí)EDS面分布分析
6.RigakuSmartLabSE:9kW旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極X射線發(fā)生系統(tǒng)
7.ZeissSigma500掃描電鏡:集成EBSD系統(tǒng)的晶體取向分析模塊
8.ThermoFisherScios2DualBeam:聚焦離子束制備TEM樣品專(zhuān)用系統(tǒng)
9.AntonPaarSAXSessmc:小角散射系統(tǒng)配備溫控樣品臺(tái)
10.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探測(cè)器:實(shí)現(xiàn)70傾斜角下的快速標(biāo)定
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
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