參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.殘余應(yīng)力消除率：測(cè)量輻照前后材料內(nèi)部應(yīng)力變化（單位：MPa），精度2MPa

2.晶粒尺寸演變：采用EBSD分析晶粒平均直徑（范圍：0.1-500μm），分辨率達(dá)10nm

3.位錯(cuò)密度量化：通過(guò)TEM計(jì)算位錯(cuò)線密度（單位：10^14m^-2），誤差≤5%

4.硬度恢復(fù)度：維氏硬度測(cè)試（載荷1-10kgf），重復(fù)性誤差≤1.5%

5.電導(dǎo)率變化：四探針?lè)y(cè)量電阻率（范圍10^-8-10^3Ωm），溫度控制0.1℃

檢測(cè)范圍

1.核反應(yīng)堆結(jié)構(gòu)材料：鋯合金包殼管、壓力容器鋼（如SA508-III）

2.半導(dǎo)體器件：硅基芯片（300mm晶圓）、GaN功率器件

3.醫(yī)用高分子材料：PEEK植入物、UHMWPE關(guān)節(jié)襯墊

4.功能陶瓷材料：Al?O?絕緣件、SiC耐高溫部件

5.超導(dǎo)材料：Nb?Sn線材、YBCO涂層導(dǎo)體

檢測(cè)方法

ASTME407-20微觀結(jié)構(gòu)電解拋光標(biāo)準(zhǔn)

ISO6507-1:2023金屬材料維氏硬度試驗(yàn)

GB/T13321-2020X射線衍射殘余應(yīng)力測(cè)定方法

ASTMF76-08(2020)半導(dǎo)體電阻率標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試

GB/T4340.1-2009金屬維氏硬度試驗(yàn)第1部分

ISO16700:2019掃描電鏡校準(zhǔn)規(guī)范

檢測(cè)設(shè)備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀：配備高溫附件（RT-1500℃），殘余應(yīng)力分析精度5MPa

2.FEINovaNanoSEM450場(chǎng)發(fā)射電鏡：分辨率0.8nm@15kV，配備EDAXEBSD系統(tǒng)

3.ZwickZHV30顯微硬度計(jì)：載荷范圍1gf-30kgf，自動(dòng)壓痕測(cè)量系統(tǒng)

4.Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：支持DC-40GHz頻率范圍，最小電流分辨率0.1fA

5.NetzschDIL402C熱膨脹儀：溫度范圍-160℃至2000℃，膨脹量分辨率0.125nm

6.OxfordInstrumentsAztecHDR能譜儀：探測(cè)元素范圍Be-Pu，能量分辨率127eV

7.LinkamTS1500高溫臺(tái)：最高溫度1500℃，升溫速率150℃/min

8.Agilent5500原子力顯微鏡：接觸/輕敲模式切換，Z軸分辨率0.1nm

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)