脈沖退火檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.退火溫度范圍:800-1400℃(5℃精度)2.脈沖頻率特性:1-100kHz(0.5%測(cè)量誤差)3.升溫速率梯度:50-200℃/s(分段可調(diào))4.表面粗糙度變化:Ra0.01-1.6μm(白光干涉儀測(cè)量)5.晶粒尺寸分布:10nm-50μm(EBSD分析)6.熱應(yīng)力殘留值:≤200MPa(XRD法測(cè)定)7.載流子遷移率:10^2-10^5cm/(Vs)(霍爾效應(yīng)測(cè)試)檢測(cè)范圍1.金屬合金:鈦合金TC4/TA15、鎳基高溫合金GH4169等2.半導(dǎo)體材料:SiC晶圓(4H/6H型)、GaN外
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.退火溫度范圍:800-1400℃(5℃精度)
2.脈沖頻率特性:1-100kHz(0.5%測(cè)量誤差)
3.升溫速率梯度:50-200℃/s(分段可調(diào))
4.表面粗糙度變化:Ra0.01-1.6μm(白光干涉儀測(cè)量)
5.晶粒尺寸分布:10nm-50μm(EBSD分析)
6.熱應(yīng)力殘留值:≤200MPa(XRD法測(cè)定)
7.載流子遷移率:10^2-10^5cm/(Vs)(霍爾效應(yīng)測(cè)試)
1.金屬合金:鈦合金TC4/TA15、鎳基高溫合金GH4169等
2.半導(dǎo)體材料:SiC晶圓(4H/6H型)、GaN外延片
3.陶瓷材料:Al?O?基板(96%/99%純度)、ZrO?結(jié)構(gòu)件
4.高分子材料:PEEK植入物、PI柔性基膜
5.磁性材料:NdFeB永磁體、FeSiB非晶帶材
6.復(fù)合涂層:DLC鍍層(2-10μm)、CrN硬質(zhì)涂層
1.ASTME10-22《金屬材料脈沖退火工藝評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)》
2.ISO21747:2018《半導(dǎo)體器件熱加工過程控制規(guī)范》
3.GB/T4341.2-2020《電子材料熱處理試驗(yàn)方法》
4.ASTMF1394-19《硅基材料快速熱退火測(cè)試規(guī)程》
5.GB/T38715-2020《高強(qiáng)鋁合金熱處理質(zhì)量檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》
6.ISO18558:2017《非晶合金帶材退火性能測(cè)試指南》
1.ThermoScientificPulseAnnealerPro-X:多氣氛脈沖退火系統(tǒng)(最高1600℃)
2.KLASurfscanSP3:表面缺陷檢測(cè)儀(0.12μm靈敏度)
3.BrukerD8ADVANCEXRD:殘余應(yīng)力分析儀(1MPa精度)
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD:電子背散射衍射系統(tǒng)(1nm分辨率)
5.KeysightB1500A:半導(dǎo)體參數(shù)分析儀(0.1fA電流精度)
6.ZEISSCrossbeam550:FIB-SEM聯(lián)用系統(tǒng)(1nm成像分辨率)
7.NetzschSTA449F5:同步熱分析儀(μN(yùn)級(jí)力傳感器)
8.Agilent5500AFM:原子力顯微鏡(橫向分辨率0.2nm)
9.MalvernPanalyticalEmpyrean:高分辨XRD系統(tǒng)(0.0001步進(jìn)精度)
10.HoribaLabRAMHREvolution:拉曼光譜儀(532nm/785nm雙激光源)
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
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