光學(xué)投影曝光法檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.線寬精度:測(cè)量實(shí)際線寬與設(shè)計(jì)值的偏差(0.1μm)2.套刻誤差:多圖層對(duì)準(zhǔn)精度(≤3nm)3.曝光均勻性:全視場(chǎng)照度差異(CV值<1.5%)4.畸變率:投影圖像幾何變形量(≤0.005%)5.光強(qiáng)穩(wěn)定性:曝光能量波動(dòng)(1.5%/h)檢測(cè)范圍1.半導(dǎo)體晶圓(硅基/化合物基)2.光掩模版(石英基板鉻膜結(jié)構(gòu))3.微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS器件)4.顯示面板(TFT-LCD/OLED陣列)5.衍射光學(xué)元件(DOE微結(jié)構(gòu))檢測(cè)方法1.ASTMF533-09(2021)硅片幾何尺寸測(cè)量規(guī)程2.ISO14648-
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.線寬精度:測(cè)量實(shí)際線寬與設(shè)計(jì)值的偏差(0.1μm)
2.套刻誤差:多圖層對(duì)準(zhǔn)精度(≤3nm)
3.曝光均勻性:全視場(chǎng)照度差異(CV值<1.5%)
4.畸變率:投影圖像幾何變形量(≤0.005%)
5.光強(qiáng)穩(wěn)定性:曝光能量波動(dòng)(1.5%/h)
1.半導(dǎo)體晶圓(硅基/化合物基)
2.光掩模版(石英基板鉻膜結(jié)構(gòu))
3.微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS器件)
4.顯示面板(TFT-LCD/OLED陣列)
5.衍射光學(xué)元件(DOE微結(jié)構(gòu))
1.ASTMF533-09(2021)硅片幾何尺寸測(cè)量規(guī)程
2.ISO14648-2:2001顯微光柵校準(zhǔn)規(guī)范
3.GB/T26144-2010光掩模缺陷檢驗(yàn)方法
4.GB/T30067-2013納米級(jí)長(zhǎng)度測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
5.SEMIP35-1108光刻機(jī)性能測(cè)試指南
1.NikoniNEXIVV12:配備15nm分辨率CCD的自動(dòng)影像測(cè)量系統(tǒng)
2.KLA-TencorArcher500:基于散射測(cè)量的套刻誤差分析儀
3.ZygoNewView9000:白光干涉三維形貌儀
4.HitachiCG4100:電子束線寬測(cè)量系統(tǒng)
5.BrukerContourGT-X3:光學(xué)輪廓儀(0.1nm垂直分辨率)
6.LeicaDCM8:共聚焦顯微鏡(408nm激光光源)
7.VeecoNT9100:納米級(jí)表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng)
8.OlympusOLS5000:激光掃描顯微鏡(1200萬(wàn)像素)
9.KeyenceVHX-7000:4K數(shù)字顯微系統(tǒng)
10.CarlZeissAxioCSM700:共聚焦臺(tái)階儀
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
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