參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.氧化物厚度測(cè)量：精度0.1nm（5-200nm范圍）
2.界面態(tài)密度分析：靈敏度110?cm?eV?
3.擊穿電壓測(cè)試：DC0-1000V（步長(zhǎng)0.1V）
4.漏電流特性：分辨率1fA@25℃
5.高溫偏壓穩(wěn)定性：125℃/10V持續(xù)168小時(shí)

檢測(cè)范圍

1.CMOS工藝柵氧化層（SiO?/SiON）
2.高k金屬柵堆棧（HfO?/Al?O?）
3.功率器件場(chǎng)氧結(jié)構(gòu)（LOCOS/STI）
4.存儲(chǔ)單元隧穿氧化層（ONO）
5.III-V族化合物柵介質(zhì)（Al?O?/GaAs）

檢測(cè)方法

1.ASTMF1241-22橢偏法測(cè)量薄膜厚度
2.ISO14707:2021XPS界面化學(xué)分析
3.GB/T16525-2017介質(zhì)擊穿電壓測(cè)試規(guī)程
4.JESD35-A時(shí)變介質(zhì)擊穿(TDDB)測(cè)試
5.GB/T35011-2018半導(dǎo)體器件熱載流子注入試驗(yàn)

檢測(cè)設(shè)備

1.J.A.WoollamM-2000D光譜橢偏儀（0.7-6.5eV）
2.KeysightB1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（1μV-100V）
3.ThermoScientificK-AlphaXPS表面分析系統(tǒng)
4.OxfordInstrumentsPlasmaPro100刻蝕系統(tǒng)
5.CascadeSummit12000探針臺(tái)（12英寸晶圓）
6.Agilent4294A精密阻抗分析儀（40Hz-110MHz）
7.Keithley4200A-SCS參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
8.HitachiSU9000FE-SEM顯微結(jié)構(gòu)分析儀
9.BrukerDimensionIcon原子力顯微鏡
10.ESPECT3-3844L高加速壽命試驗(yàn)箱

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)