參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

電子密度測(cè)量：范圍1e15-1e20cm?，精度3%

碰撞頻率測(cè)定：0.1-10THz頻段內(nèi)能量損耗分析

介電常數(shù)表征：復(fù)介電常數(shù)實(shí)部與虛部同步測(cè)量

弛豫時(shí)間計(jì)算：基于Drude模型的時(shí)間分辨率≤1ps

溫度相關(guān)性測(cè)試：-196℃至1200℃溫控環(huán)境下的參數(shù)漂移監(jiān)測(cè)

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體材料：GaAs、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體晶圓

金屬薄膜：厚度50-500nm的Au、Al濺射薄膜

等離子體涂層：氮化鈦、類金剛石涂層（DLC）

納米復(fù)合材料：碳納米管/金屬氧化物復(fù)合體系

功能陶瓷：BaTiO?基微波介質(zhì)陶瓷材料

檢測(cè)方法

微波諧振法：ASTME756標(biāo)準(zhǔn)下的腔體微擾技術(shù)

太赫茲時(shí)域光譜法：ISO18554非接觸式寬頻帶測(cè)量

四探針阻抗分析：GB/T14146半導(dǎo)體材料測(cè)試規(guī)范

橢圓偏振光譜術(shù)：GB/T38986薄膜光學(xué)常數(shù)測(cè)定方法

激光誘導(dǎo)擊穿光譜：ISO21258等離子體診斷技術(shù)規(guī)程

檢測(cè)設(shè)備

KeysightPNA-LN5247B網(wǎng)絡(luò)分析儀：10MHz-67GHz矢量網(wǎng)絡(luò)測(cè)量

Agilent8720ES微波諧振腔系統(tǒng)：Q值＞20000的高精度腔體

TeraViewTPS4000太赫茲光譜儀：0.06-4THz時(shí)域光譜分析

HoribaUVISEL2橢偏儀：190-2100nm寬光譜光學(xué)表征

LakeShoreCRX-4K低溫探針臺(tái)：4.2K-675K變溫測(cè)試平臺(tái)

RigakuZSXPrimusIVXRF光譜儀：元素成分同步驗(yàn)證

OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP源：等離子體原位激發(fā)裝置

Keithley4200A-SCS參數(shù)分析儀：直流至射頻阻抗譜測(cè)量

BrukerV80傅里葉光譜儀：遠(yuǎn)紅外波段等離子體共振檢測(cè)

SRSSR570低噪聲前置放大器：nV級(jí)微弱信號(hào)提取系統(tǒng)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)