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正電子譜儀檢測

2025-05-26 關(guān)鍵詞:正電子譜儀測試標(biāo)準(zhǔn),正電子譜儀測試儀器,正電子譜儀測試方法 相關(guān):
正電子譜儀檢測

正電子譜儀檢測摘要:檢測項目1.正電子壽命譜測量:時間分辨率≤250ps,測量范圍0.1-10ns2.多普勒展寬能譜分析:能量分辨率≤1.3keV@511keV3.三維動量分布測量:角關(guān)聯(lián)精度0.1mrad4.缺陷濃度定量分析:靈敏度≥51015cm-35.空位型缺陷尺寸測定:分辨率0.1-2nm檢測范圍1.金屬及合金材料:鋁合金晶界缺陷、鈦合金空位簇2.半導(dǎo)體材料:硅基器件界面態(tài)密度、GaN位錯密度3.高分子聚合物:自由體積分?jǐn)?shù)測定(0.1-5nm尺度)4.陶瓷復(fù)合材料:ZrO2相變?nèi)毕轁舛确治?.納米功能材料:碳納米管束

參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.正電子壽命譜測量:時間分辨率≤250ps,測量范圍0.1-10ns
2.多普勒展寬能譜分析:能量分辨率≤1.3keV@511keV
3.三維動量分布測量:角關(guān)聯(lián)精度0.1mrad
4.缺陷濃度定量分析:靈敏度≥51015cm-3
5.空位型缺陷尺寸測定:分辨率0.1-2nm

檢測范圍

1.金屬及合金材料:鋁合金晶界缺陷、鈦合金空位簇
2.半導(dǎo)體材料:硅基器件界面態(tài)密度、GaN位錯密度
3.高分子聚合物:自由體積分?jǐn)?shù)測定(0.1-5nm尺度)
4.陶瓷復(fù)合材料:ZrO2相變?nèi)毕轁舛确治?br/>5.納米功能材料:碳納米管束間空隙分布表征

檢測方法

1.ASTME2215-19正電子湮滅壽命譜標(biāo)準(zhǔn)測試方法
2.ISO20156:2020多普勒展寬能譜數(shù)據(jù)處理規(guī)程
3.GB/T39123-2020正電子譜儀校準(zhǔn)規(guī)范
4.GB/T39124-2020金屬材料缺陷濃度測定方法
5.ISO/IEC17025:2017實驗室通用技術(shù)要求

檢測設(shè)備

1.OrtecModel576A高純鍺探測器:能量分辨率1.25keV@1.33MeV
2.CanberraModel2100多通道分析儀:4096道ADC轉(zhuǎn)換精度
3.FastComTecP7889時間數(shù)字轉(zhuǎn)換器:25ps時間分辨率
4.Eckert&ZieglerNa-22放射源:活度50μCi5%
5.Kapton真空樣品室:極限真空度510-6mbar
6.OrtecModel926符合電路模塊:時間窗調(diào)節(jié)范圍1-100ns
7.HamamatsuH3378PMT探測器:量子效率≥30%@400nm
8.LakeshoreModel331溫控系統(tǒng):控溫精度0.1℃
9.AgilentE4980ALCR表:介電常數(shù)測量精度0.05%
10.BrukerD8AdvanceXRD聯(lián)用系統(tǒng):角度重復(fù)性0.0001

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱:中析研究所】

報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試:嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試:支持定制化試驗方案。

售后:報告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

中析正電子譜儀檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細(xì)檢測項目,請咨詢在線工程師

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