單晶體變形檢測(cè)摘要:檢測(cè)項(xiàng)目1.位錯(cuò)密度檢測(cè):測(cè)量范圍10-10?cm?,精度5%2.晶格畸變率分析:Δd/d≤0.15%,分辨率0.001%3.滑移帶間距測(cè)量:范圍0.1-50μm,SEM成像精度0.02μm4.殘余應(yīng)力分布:測(cè)試深度0-200μm,空間分辨率10μm5.彈性模量偏差:動(dòng)態(tài)法測(cè)量誤差≤1.5%,頻率范圍20Hz-1MHz檢測(cè)范圍1.半導(dǎo)體單晶材料:硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等晶圓2.光學(xué)功能晶體:藍(lán)寶石(Al?O?)、氟化鈣(CaF?)基片3.超導(dǎo)單晶材料:釔鋇銅氧(YBCO)、鉍系(BSCCO)晶體4
參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。
1.位錯(cuò)密度檢測(cè):測(cè)量范圍10-10?cm?,精度5%
2.晶格畸變率分析:Δd/d≤0.15%,分辨率0.001%
3.滑移帶間距測(cè)量:范圍0.1-50μm,SEM成像精度0.02μm
4.殘余應(yīng)力分布:測(cè)試深度0-200μm,空間分辨率10μm
5.彈性模量偏差:動(dòng)態(tài)法測(cè)量誤差≤1.5%,頻率范圍20Hz-1MHz
1.半導(dǎo)體單晶材料:硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等晶圓
2.光學(xué)功能晶體:藍(lán)寶石(Al?O?)、氟化鈣(CaF?)基片
3.超導(dǎo)單晶材料:釔鋇銅氧(YBCO)、鉍系(BSCCO)晶體
4.高溫合金單晶:鎳基CMSX-4系列渦輪葉片材料
5.壓電晶體材料:石英(α-SiO?)、鈮酸鋰(LiNbO?)振子
1.X射線衍射法:依據(jù)ASTME1426-14與GB/T8362-2018標(biāo)準(zhǔn)
2.電子背散射衍射(EBSD):符合ISO24173:2020及GB/T41076-2021
3.納米壓痕技術(shù):執(zhí)行ISO14577-1:2015與GB/T31228-2014規(guī)范
4.激光超聲檢測(cè):參照ASTME2580-17標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施
5.同步輻射白光形貌術(shù):采用ISO/TS21383:2021方法體系
1.RigakuSmartLabX射線衍射儀:配備高分辨率HyPix-3000探測(cè)器
2.FEINovaNanoSEM450場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡:集成EDAXEBSD系統(tǒng)
3.KeysightG200納米壓痕儀:最大載荷500mN,位移分辨率0.01nm
4.BrukerD8DISCOVER微區(qū)衍射系統(tǒng):最小光斑尺寸50μm
5.OlympusOmniscanMX2超聲探傷儀:頻率范圍0.5-30MHz
6.MalvernPanalyticalEmpyrean多晶衍射儀:配備高溫附件(1600℃)
7.ZEISSCrossbeam550聚焦離子束系統(tǒng):定位精度10nm
8.ShimadzuAG-Xplus電子萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī):載荷容量100kN
9.PolytecMSA-600激光測(cè)振儀:頻響范圍DC-25MHz
10.ThermoFisherHeliosG4PFIB雙束電鏡:三維重構(gòu)功能
報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。
非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。
售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。
中析單晶體變形檢測(cè) - 由于篇幅有限,僅展示部分項(xiàng)目,如需咨詢?cè)敿?xì)檢測(cè)項(xiàng)目,請(qǐng)咨詢?cè)诰€工程師
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