參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.雙晶面取向偏差：測(cè)量雙晶界面與理論晶面的角度偏差（0.5以內(nèi)）
2.界面能密度：通過(guò)原子力顯微鏡測(cè)定界面能量分布（0.1-5.0J/m）
3.晶格畸變率：采用高分辨TEM分析晶格常數(shù)變化（≤0.3%）
4.雙晶帶寬度：利用EBSD技術(shù)測(cè)定雙晶區(qū)域尺寸（10nm-50μm）
5.應(yīng)力集中系數(shù)：通過(guò)納米壓痕儀測(cè)量局部應(yīng)力分布（Kt值1.2-3.5）
6.熱穩(wěn)定性：高溫XRD測(cè)試相變溫度（200-1200℃）

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體單晶硅片（直徑200-300mm）
2.光學(xué)級(jí)藍(lán)寶石襯底（c面取向）
3.高溫合金渦輪葉片（鎳基/鈷基）
4.壓電陶瓷材料（PZT系/鈮酸鋰系）
5.航空航天用鈦合金鍛件（TC4/TC11）
6.人工合成金剛石單晶（IIa型/IIb型）

檢測(cè)方法

1.ASTME112-13：金相顯微鏡法定性分析雙晶形貌
2.ISO24173:2009：電子背散射衍射（EBSD）定量表征取向差
3.GB/T13298-2015：金屬顯微組織檢驗(yàn)通則
4.ASTME2627-13：X射線衍射法測(cè)定殘余應(yīng)力
5.ISO22262-2:2014：掃描電鏡能譜聯(lián)用分析界面成分
6.GB/T3488.2-2018：硬質(zhì)合金金相檢測(cè)方法

檢測(cè)設(shè)備

1.蔡司AxioImagerM2m金相顯微鏡（5000放大倍率）
2.布魯克D8ADVANCEX射線衍射儀（Cu靶Kα輻射源）
3.TESCANMIRA3場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（分辨率1nm@15kV）
4.EDAXHikariProEBSD系統(tǒng)（采集速度3000點(diǎn)/秒）
5.牛津儀器AZtecEnergy能譜儀（元素分析范圍B-U）
6.日立HF5000透射電鏡（點(diǎn)分辨率0.19nm）
7.安東帕TTX-NHT納米壓痕儀（載荷分辨率10nN）
8.耐馳DIL402C熱膨脹儀（溫度范圍-160℃至2000℃）
9.帕納科Empyrean多功能衍射儀（二維探測(cè)器系統(tǒng)）
10.Keysight5500原子力顯微鏡（接觸/輕敲模式切換）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)