參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.晶胞參數(shù)測定：a軸偏差≤0.02nm，c軸角度誤差≤0.5，三維晶格匹配度≥98%
2.熱膨脹各向異性：α_a/α_c比值范圍1.2-3.5（200-800℃）
3.介電損耗角正切：1MHz下tanδ≤0.002（室溫）
4.壓電系數(shù)d₃₃：測量范圍2000pC/N（精度1.5%）
5.缺陷密度分析：位錯密度≤10⁴cm^-2，包裹體尺寸≤5μm

檢測范圍

1.鈮酸鋰（LiNbO₃）基壓電陶瓷
2.α-石英（SiO₂）光學(xué)晶體
3.鉭酸鋰（LiTaO₃）熱電材料
4.碳化硅（6H-SiC）半導(dǎo)體襯底
5.鈦酸鉍鈉（Na_0.5Bi_0.5TiO₃）弛豫鐵電體

檢測方法

1.ASTME112-13晶粒度定量金相分析法
2.ISO14705:2016熱膨脹系數(shù)激光干涉測量法
3.GB/T16535-2008精密陶瓷介電性能測試規(guī)范
4.IEC60404-15:2012鐵電材料電滯回線測量
5.JISR1637:2010壓電常數(shù)激光干涉法測定

檢測設(shè)備

1.RigakuSmartLabX射線衍射儀：9kW旋轉(zhuǎn)陽極靶，θ/θ測角儀（精度0.0001）
2.NetzschDIL402ExpedisSupreme熱膨脹儀：最高1600℃，分辨率0.05nm
3.AgilentE4990A阻抗分析儀：20Hz-120MHz頻率范圍（基本精度0.05%）
4.PolytecMSA-600微系統(tǒng)分析儀：激光多普勒振動測量（位移分辨率0.1pm）
5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系統(tǒng)：空間分辨率≤50nm（加速電壓30kV）
6.ZeissCrossbeam550聚焦離子束電鏡：1nm分

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標(biāo)準(zhǔn)測試：嚴(yán)格按國標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國際標(biāo)準(zhǔn)檢測。

非標(biāo)測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)