參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

1.電阻率測試：測量20℃-1600℃溫度區(qū)間電阻值變化率（0.5%精度）
2.熱膨脹系數(shù)測定：記錄800℃-1500℃范圍內(nèi)線膨脹系數(shù)（α=4.510??/℃0.2）
3.抗彎強度測試：三點彎曲法測定常溫至1400℃下強度值（≥180MPa）
4.表面粗糙度分析：Ra≤1.6μm的微觀形貌表征
5.氣密性驗證：氦質(zhì)譜檢漏法（漏率≤110??Pam/s）

檢測范圍

1.棒狀直型碳化硅加熱管（Φ20-150mm）
2.U型/螺旋型異形加熱管
3.表面滲硅處理改性加熱管
4.高溫爐用多段拼接式加熱管
5.半導體行業(yè)用高純碳化硅加熱管（純度≥99.9995%）

檢測方法

1.ASTMF1525-2017《半導體材料電阻率測試規(guī)范》
2.ISO17562:2016《精細陶瓷熱膨脹系數(shù)測定》
3.GB/T16535-2008《精細陶瓷室溫彎曲強度試驗方法》
4.ISO4287:1997《表面粗糙度輪廓法術(shù)語定義》
5.GB/T15823-2009《無損檢測氦泄漏檢測方法》

檢測設備

1.Agilent34420A高溫電阻測試儀（-200℃~1700℃）
2.NetzschDIL402C熱膨脹系數(shù)測定儀（RT~1600℃）
3.Instron8862電子萬能試驗機（100kN載荷）
4.TaylorHobsonFormTalysurfPGI三維輪廓儀
5.LeyboldPhoenixL300i氦質(zhì)譜檢漏儀
6.RigakuSmartLabX射線衍射儀（晶體結(jié)構(gòu)分析）
7.FEIQuantaFEG650掃描電鏡（微觀形貌觀測）
8.PerkinElmerSTA8000同步熱分析儀（TG-DSC聯(lián)用）
9.KeysightE4990A阻抗分析儀（高頻電性能測試）
10.ShimadzuAIM-9000紅外熱像儀（溫度場分布監(jiān)測）

北京中科光析科學技術(shù)研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)