參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

純度檢測(cè)：

• 總純度水平：≥99.9999%（參照ISO17025）
• 主成分含量：四氯化硅占比測(cè)定（精度±0.0001%）
• 雜質(zhì)總和：≤0.0001wt%（GB/T3038-2022）

• 鐵含量：≤0.1ppb（ASTMD1976）
• 鋁含量：≤0.05ppb（ISO11885）
• 銅含量：≤0.2ppb（參照SEMIC10）

• 硼含量：≤0.3ppb（GB/T3049-2023）
• 磷含量：≤0.4ppb（ASTMD4327）
• 碳?xì)埩簦骸?.0ppm（參照SEMIC3）

• 水含量：≤5ppm（卡爾費(fèi)休法，GB/T6283）
• 游離酸度：pH值≥6.5（ISO1843）
• 水解穩(wěn)定性：水解率≤0.01%/h（參照SEMIF20）

• 顆粒尺寸：≤0.1μm顆粒數(shù)（ASTMF51）
• 顆粒濃度：≤100個(gè)/mL（ISO21501）
• 不溶物殘留：≤0.001wt%（GB/T3045）

• 沸點(diǎn)測(cè)定：57.6°C±0.5°C（ASTMD1078）
• 密度檢測(cè)：1.483g/cm3±0.005g/cm3（ISO3675）
• 折射率：1.412±0.002（GB/T614）

• 氧化穩(wěn)定性：氧化產(chǎn)物≤0.1ppm（參照SEMIC15）
• 熱分解率：分解溫度≥200°C（ISO11357）
• 反應(yīng)活性：與硅烷反應(yīng)偏差≤0.5%（GB/T601）

• 紫外吸收：220nm吸光度≤0.05（ISO7887）
• 紅外光譜峰值：Si-Cl鍵特征峰（ASTME168）
• 熒光背景：≤10RU（參照SEMIF40）

• 有機(jī)溶劑殘留：≤0.5ppm（GB/T9722）
• 鹵代烴含量：≤0.2ppm（ISO13900）
• 揮發(fā)性有機(jī)物：TVOC≤1.0mg/m3（ASTMD3960）

• 重金屬總量：≤0.5ppb（EPA6010）
• 放射性核素：U/Th≤0.01Bq/kg（GB18871）
• 持久性有機(jī)物：PCBs≤0.05ppb（ISO6468）

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體級(jí)四氯化硅：用于集成電路制造，檢測(cè)重點(diǎn)在超低金屬雜質(zhì)（Fe、Cu≤0.1ppb）和水分控制（≤5ppm），確保無(wú)顆粒污染。

2.光纖級(jí)四氯化硅：應(yīng)用于光纖預(yù)制棒生產(chǎn)，側(cè)重羥基含量（OH?≤0.1ppm）和紫外吸收率，避免光信號(hào)衰減。

3.太陽(yáng)能級(jí)四氯化硅：用于光伏硅片沉積，檢測(cè)硼/磷雜質(zhì)（≤0.3ppb）和碳?xì)埩簦瑑?yōu)化光電轉(zhuǎn)換效率。

4.高純?cè)噭┘?jí)四氯化硅：作為實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)品，重點(diǎn)分析總純度（≥99.9999%）和批次一致性，減少實(shí)驗(yàn)誤差。

5.電子級(jí)四氯化硅：適用微電子封裝，檢測(cè)顆粒物濃度（≤100個(gè)/mL）和鹵素殘留，保障器件可靠性。

6.工業(yè)級(jí)四氯化硅：用于化工合成，檢測(cè)非金屬雜質(zhì)（B/P≤1.0ppm）和密度偏差，滿足基礎(chǔ)純度要求。

7.研究級(jí)四氯化硅：面向新材料開(kāi)發(fā)，側(cè)重光譜特性（紅外峰位置）和熱穩(wěn)定性，支持創(chuàng)新應(yīng)用。

8.定制純化級(jí)四氯化硅：根據(jù)客戶規(guī)格，檢測(cè)特定元素（如As≤0.05ppb）和物理參數(shù)，實(shí)現(xiàn)定制化控制。

9.回收再利用級(jí)四氯化硅：源于廢料再生，重點(diǎn)篩查環(huán)境污染物（重金屬≤0.5ppb）和溶劑殘留，確保循環(huán)利用安全。

10.納米材料合成用四氯化硅：用于納米硅制備，檢測(cè)顆粒尺寸分布（≤0.1μm）和反應(yīng)活性，優(yōu)化納米結(jié)構(gòu)性能。

檢測(cè)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：

• ASTMD1976-18電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定金屬雜質(zhì)
• ISO11885:2022水質(zhì)-電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測(cè)定元素
• SEMIC10-0709電子級(jí)液體中痕量金屬測(cè)試指南
• ISO17025:2017檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室能力通用要求
• ASTMD4327-17陰離子色譜法測(cè)定水中溶解陰離子

• GB/T3049-2023化學(xué)試劑雜質(zhì)測(cè)定通則
• GB/T3038-2022高純化學(xué)品中雜質(zhì)含量的測(cè)定
• GB/T6283-2023化工產(chǎn)品水分測(cè)定通用方法
• GB18871-2022放射性核素限量標(biāo)準(zhǔn)
• GB/T614-2024化學(xué)試劑折射率測(cè)定法

檢測(cè)設(shè)備

1.電感耦合等離子體質(zhì)譜儀：Agilent7900型（檢測(cè)限≤0.01ppt，質(zhì)量范圍5-260amu）

2.氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀：ThermoFisherISQ7000型（分辨率≥60,000，掃描速度10Hz）

3.卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀：Metrohm917型（精度±0.1μg，滴定范圍0-100%）

4.激光粒子計(jì)數(shù)器：ParticleMetricsLS-1000型（粒徑范圍0.05-10μm，計(jì)數(shù)精度±3%）

5.紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)：ShimadzuUV-2700型（波長(zhǎng)范圍190-900nm，帶寬0.1nm）

6.傅里葉變換紅外光譜儀：PerkinElmerSpectrum3型（分辨率0.4cm?1，掃描速度10次/秒）

7.原子吸收光譜儀：VarianAA240FS型（檢測(cè)限≤0.1ppb，石墨爐溫度≥3000°C）

8.密度計(jì)：AntonPaarDMA4500型（精度±0.0001g/cm3，溫度控制±0.01°C）

9.沸點(diǎn)測(cè)定儀：KoehlerK93400型（測(cè)量范圍-10°C至400°C，精度±0.1°C）

10.離子色譜儀：DionexICS-6000型（分離柱效率≥50,000plates/m，電導(dǎo)檢測(cè)限≤0.1ppb）

11.熱重分析儀：NETZSCHTG209F3型（溫度范圍RT-1000°C，靈敏度0.1μg）

12.熒光光譜儀：HoribaFluoroMax-4型（激發(fā)波長(zhǎng)200-900nm，檢出限≤0.001RU）

13.pH/電導(dǎo)率儀：MettlerToledoSevenExcellence型（pH精度±0.01，電導(dǎo)率范圍0-2000mS/cm）

14.自動(dòng)滴定儀：HannaHI901型（滴定體積精度±0.001mL，終點(diǎn)判斷誤差≤0.1%）

15.X射線熒光光譜儀：RigakuZSXPrimusIV型（元素范圍Be-U，檢測(cè)限≤1ppm）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日，可加急。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)