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高純度四氯化硅檢測(cè)

2025-06-09 關(guān)鍵詞:高純度四氯化硅測(cè)試范圍,高純度四氯化硅測(cè)試機(jī)構(gòu),高純度四氯化硅測(cè)試方法 相關(guān):
高純度四氯化硅檢測(cè)

高純度四氯化硅檢測(cè)摘要:高純度四氯化硅檢測(cè)專注于評(píng)估SiCl4的化學(xué)純度和雜質(zhì)含量,核心檢測(cè)對(duì)象包括金屬雜質(zhì)(如Fe、Al、Cu)、非金屬雜質(zhì)(如B、P)、水分含量及顆粒物分布。關(guān)鍵項(xiàng)目涵蓋純度水平≥99.9999%,雜質(zhì)限量低于1ppb,物理參數(shù)如沸點(diǎn)(57.6°C±0.5°C)和密度(1.483g/cm3±0.005g/cm3)。檢測(cè)依據(jù)國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),重點(diǎn)關(guān)注半導(dǎo)體級(jí)產(chǎn)品對(duì)痕量污染物的敏感性,確保材料在集成電路和光纖制造中滿足超凈要求。

參考周期:常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,加急試驗(yàn)5個(gè)工作日。

注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外)。

檢測(cè)項(xiàng)目

純度檢測(cè):

  • 總純度水平:≥99.9999%(參照ISO17025)
  • 主成分含量:四氯化硅占比測(cè)定(精度±0.0001%)
  • 雜質(zhì)總和:≤0.0001wt%(GB/T3038-2022)
金屬雜質(zhì)分析:
  • 鐵含量:≤0.1ppb(ASTMD1976)
  • 鋁含量:≤0.05ppb(ISO11885)
  • 銅含量:≤0.2ppb(參照SEMIC10)
非金屬雜質(zhì)檢測(cè):
  • 硼含量:≤0.3ppb(GB/T3049-2023)
  • 磷含量:≤0.4ppb(ASTMD4327)
  • 碳?xì)埩簦骸?.0ppm(參照SEMIC3)
水分含量檢測(cè):
  • 水含量:≤5ppm(卡爾費(fèi)休法,GB/T6283)
  • 游離酸度:pH值≥6.5(ISO1843)
  • 水解穩(wěn)定性:水解率≤0.01%/h(參照SEMIF20)
顆粒物檢測(cè):
  • 顆粒尺寸:≤0.1μm顆粒數(shù)(ASTMF51)
  • 顆粒濃度:≤100個(gè)/mL(ISO21501)
  • 不溶物殘留:≤0.001wt%(GB/T3045)
物理性質(zhì)分析:
  • 沸點(diǎn)測(cè)定:57.6°C±0.5°C(ASTMD1078)
  • 密度檢測(cè):1.483g/cm3±0.005g/cm3(ISO3675)
  • 折射率:1.412±0.002(GB/T614)
化學(xué)穩(wěn)定性測(cè)試:
  • 氧化穩(wěn)定性:氧化產(chǎn)物≤0.1ppm(參照SEMIC15)
  • 熱分解率:分解溫度≥200°C(ISO11357)
  • 反應(yīng)活性:與硅烷反應(yīng)偏差≤0.5%(GB/T601)
光譜特性檢測(cè):
  • 紫外吸收:220nm吸光度≤0.05(ISO7887)
  • 紅外光譜峰值:Si-Cl鍵特征峰(ASTME168)
  • 熒光背景:≤10RU(參照SEMIF40)
殘留溶劑檢測(cè):
  • 有機(jī)溶劑殘留:≤0.5ppm(GB/T9722)
  • 鹵代烴含量:≤0.2ppm(ISO13900)
  • 揮發(fā)性有機(jī)物:TVOC≤1.0mg/m3(ASTMD3960)
環(huán)境污染物篩查:
  • 重金屬總量:≤0.5ppb(EPA6010)
  • 放射性核素:U/Th≤0.01Bq/kg(GB18871)
  • 持久性有機(jī)物:PCBs≤0.05ppb(ISO6468)

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體級(jí)四氯化硅:用于集成電路制造,檢測(cè)重點(diǎn)在超低金屬雜質(zhì)(Fe、Cu≤0.1ppb)和水分控制(≤5ppm),確保無(wú)顆粒污染。

2.光纖級(jí)四氯化硅:應(yīng)用于光纖預(yù)制棒生產(chǎn),側(cè)重羥基含量(OH?≤0.1ppm)和紫外吸收率,避免光信號(hào)衰減。

3.太陽(yáng)能級(jí)四氯化硅:用于光伏硅片沉積,檢測(cè)硼/磷雜質(zhì)(≤0.3ppb)和碳?xì)埩簦瑑?yōu)化光電轉(zhuǎn)換效率。

4.高純?cè)噭┘?jí)四氯化硅:作為實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)品,重點(diǎn)分析總純度(≥99.9999%)和批次一致性,減少實(shí)驗(yàn)誤差。

5.電子級(jí)四氯化硅:適用微電子封裝,檢測(cè)顆粒物濃度(≤100個(gè)/mL)和鹵素殘留,保障器件可靠性。

6.工業(yè)級(jí)四氯化硅:用于化工合成,檢測(cè)非金屬雜質(zhì)(B/P≤1.0ppm)和密度偏差,滿足基礎(chǔ)純度要求。

7.研究級(jí)四氯化硅:面向新材料開(kāi)發(fā),側(cè)重光譜特性(紅外峰位置)和熱穩(wěn)定性,支持創(chuàng)新應(yīng)用。

8.定制純化級(jí)四氯化硅:根據(jù)客戶規(guī)格,檢測(cè)特定元素(如As≤0.05ppb)和物理參數(shù),實(shí)現(xiàn)定制化控制。

9.回收再利用級(jí)四氯化硅:源于廢料再生,重點(diǎn)篩查環(huán)境污染物(重金屬≤0.5ppb)和溶劑殘留,確保循環(huán)利用安全。

10.納米材料合成用四氯化硅:用于納米硅制備,檢測(cè)顆粒尺寸分布(≤0.1μm)和反應(yīng)活性,優(yōu)化納米結(jié)構(gòu)性能。

檢測(cè)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):

  • ASTMD1976-18電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定金屬雜質(zhì)
  • ISO11885:2022水質(zhì)-電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測(cè)定元素
  • SEMIC10-0709電子級(jí)液體中痕量金屬測(cè)試指南
  • ISO17025:2017檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室能力通用要求
  • ASTMD4327-17陰離子色譜法測(cè)定水中溶解陰離子
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn):
  • GB/T3049-2023化學(xué)試劑雜質(zhì)測(cè)定通則
  • GB/T3038-2022高純化學(xué)品中雜質(zhì)含量的測(cè)定
  • GB/T6283-2023化工產(chǎn)品水分測(cè)定通用方法
  • GB18871-2022放射性核素限量標(biāo)準(zhǔn)
  • GB/T614-2024化學(xué)試劑折射率測(cè)定法
方法差異說(shuō)明包含:ASTM標(biāo)準(zhǔn)采用更高等離子體激發(fā)源靈敏度,而GB標(biāo)準(zhǔn)側(cè)重樣品前處理簡(jiǎn)化;ISO水分檢測(cè)允許卡爾費(fèi)休滴定法替代,GB標(biāo)準(zhǔn)則規(guī)定嚴(yán)格干燥條件;SEMI指南針對(duì)半導(dǎo)體應(yīng)用增加顆粒計(jì)數(shù)要求,不同于通用ISO方法。

檢測(cè)設(shè)備

1.電感耦合等離子體質(zhì)譜儀:Agilent7900型(檢測(cè)限≤0.01ppt,質(zhì)量范圍5-260amu)

2.氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀:ThermoFisherISQ7000型(分辨率≥60,000,掃描速度10Hz)

3.卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀:Metrohm917型(精度±0.1μg,滴定范圍0-100%)

4.激光粒子計(jì)數(shù)器:ParticleMetricsLS-1000型(粒徑范圍0.05-10μm,計(jì)數(shù)精度±3%)

5.紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì):ShimadzuUV-2700型(波長(zhǎng)范圍190-900nm,帶寬0.1nm)

6.傅里葉變換紅外光譜儀:PerkinElmerSpectrum3型(分辨率0.4cm?1,掃描速度10次/秒)

7.原子吸收光譜儀:VarianAA240FS型(檢測(cè)限≤0.1ppb,石墨爐溫度≥3000°C)

8.密度計(jì):AntonPaarDMA4500型(精度±0.0001g/cm3,溫度控制±0.01°C)

9.沸點(diǎn)測(cè)定儀:KoehlerK93400型(測(cè)量范圍-10°C至400°C,精度±0.1°C)

10.離子色譜儀:DionexICS-6000型(分離柱效率≥50,000plates/m,電導(dǎo)檢測(cè)限≤0.1ppb)

11.熱重分析儀:NETZSCHTG209F3型(溫度范圍RT-1000°C,靈敏度0.1μg)

12.熒光光譜儀:HoribaFluoroMax-4型(激發(fā)波長(zhǎng)200-900nm,檢出限≤0.001RU)

13.pH/電導(dǎo)率儀:MettlerToledoSevenExcellence型(pH精度±0.01,電導(dǎo)率范圍0-2000mS/cm)

14.自動(dòng)滴定儀:HannaHI901型(滴定體積精度±0.001mL,終點(diǎn)判斷誤差≤0.1%)

15.X射線熒光光譜儀:RigakuZSXPrimusIV型(元素范圍Be-U,檢測(cè)限≤1ppm)

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱:中析研究所】

報(bào)告:可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)。

非標(biāo)測(cè)試:支持定制化試驗(yàn)方案。

售后:報(bào)告終身可查,工程師1v1服務(wù)。

中析儀器 資質(zhì)

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