參考周期：常規(guī)試驗7-15工作日，加急試驗5個工作日。

注意：因業(yè)務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人除外)。

檢測項目

結構特性檢測：

• 晶格常數(shù)測定：a軸誤差≤0.001nm、c軸誤差≤0.002nm（參照JISR1621）
• 晶體取向精度：偏差角≤0.5°、多型體識別（參照SEMIMF26）
• 晶粒尺寸分析：平均粒徑≥5μm、分布均勻性（參照ASTME112）

• 電阻率測試：范圍10?3~10?Ω·cm、溫度系數(shù)（四探針法）
• 載流子濃度：1E15-1E19cm?3、遷移率（霍爾效應）
• 擊穿場強：≥3MV/cm、漏電流密度（參照SEMIMF1727）

• 熱導率：≥150W/m·K、各向異性比（激光閃射法）
• 熱膨脹系數(shù)：2.0-4.0×10??/K、高溫穩(wěn)定性（參照ASTME831）
• 比熱容：0.6-1.2J/g·K、相變溫度（同步熱分析）

• 表面粗糙度：Ra≤0.5nm、峰谷高度（參照ISO4287）
• 平整度檢測：翹曲≤10μm、局部斜率（光干涉法）
• 附著強度：≥50MPa、界面結合力（劃痕測試）

• 透射率：波長400-800nm≥85%、吸收系數(shù)（參照ISO13468）
• 折射率：2.5-2.7（633nm）、雙折射（橢偏儀）
• 熒光光譜：峰值波長偏差±2nm、強度均勻性（拉曼光譜）

• 位錯密度：<500cm?2、分布圖譜（腐蝕坑法）
• 微裂紋檢測：長度≤5μm、密度（SEM成像）
• 夾雜物評級：尺寸≤1μm、含量（參照ASTME45）

• 純度分析：SiC≥99.99%、雜質元素（如Fe≤5ppm）
• 碳硅比：1.0±0.05、氧含量≤100ppm（燃燒法）
• 摻雜濃度：N型≤1E20cm?3、P型控制（SIMS）

• 硬度測試：維氏硬度≥2500HV、壓痕模量（參照ISO6507）
• 抗彎強度：≥400MPa、斷裂韌性（三點彎曲法）
• 彈性模量：400-500GPa、泊松比（超聲共振）

• 厚度公差：±10μm、平行度（千分尺法）
• 直徑偏差：≤0.1mm、圓度（光學投影）
• 邊緣倒角：角度45°±2°、均勻性（輪廓儀）

• 耐腐蝕性：酸/堿腐蝕率≤0.1mg/cm2（參照ASTMG31）
• 抗氧化性：高溫失重≤5%（1000°C/24h）（TGA）
• 濕度敏感性：膨脹率≤0.01%（85°C/85%RH）

檢測范圍

1.單晶碳化硅襯底：用于半導體功率器件，檢測重點為結晶質量、電學均勻性及晶向精度控制。

2.多晶碳化硅陶瓷：應用于耐火材料，檢測重點包括熱穩(wěn)定性、機械強度和微缺陷密度分析。

3.碳化硅晶片：作為集成電路基材，檢測重點涵蓋表面平整度、厚度公差和微裂紋分布。

4.碳化硅薄膜涂層：用于耐磨部件，檢測重點為附著強度、厚度均勻性和耐腐蝕性能。

5.碳化硅粉末原料：用于燒結制備，檢測重點包括粒度分布、純度評估和化學成分一致性。

6.碳化硅復合材料：與金屬/聚合物復合，檢測重點為界面結合強度、熱膨脹匹配和電學隔離。

7.碳化硅半導體器件：如MOSFET模塊，檢測重點包括擊穿電壓、漏電流和高溫可靠性。

8.碳化硅涂層刀具：應用于機械加工，檢測重點為硬度、耐磨性和表面光滑度。

9.碳化硅納米顆粒：用于光電子領域，檢測重點包括粒徑分布、結構缺陷和功能性參數(shù)。

10.再生碳化硅材料：回收再利用產品，檢測重點為雜質含量、性能衰減和化學穩(wěn)定性驗證。

檢測方法

國際標準：

• ASTME831-19熱膨脹系數(shù)測試標準
• ISO18747:2019粉末粒度分布測定方法
• SEMIMF26-0321晶體取向精度測試規(guī)范
• JISR1621-2020碳化硅晶格常數(shù)測定方法
• ASTME112-13晶粒度分析標準

• GB/T36595-2018碳化硅單晶片技術條件
• GB/T3074.1-2015硬度測試方法
• GB/T4334-2020耐腐蝕性能試驗
• GB/T228.1-2021材料拉伸測試標準
• GB/T13298-2015金相顯微檢驗方法

方法差異說明：國際標準如ASTME831采用激光干涉法測定熱膨脹，國家標準GB/T4334側重化學浸泡腐蝕率；晶粒度檢測中ASTME112使用截點法，GB/T13298優(yōu)先圖像分析法；電學測試SEMI標準要求真空環(huán)境，而GB/T228.1放寬至常壓條件。

檢測設備

1.X射線衍射儀：RigakuSmartLab（分辨率≤0.0001°，Cu-Kα輻射）

2.掃描電子顯微鏡：ZEISSGeminiSEM（分辨率1nm，加速電壓0.1-30kV）

3.霍爾效應測試系統(tǒng)：LakeShoreModel7604（磁場強度0-1.8T，精度±0.5%）

4.激光閃射熱導儀：NETZSCHLFA467（溫度范圍RT-2000°C，精度±3%）

5.表面粗糙度儀：MitutoyoSurfTestSJ-410（測量精度±0.01μm，行程12.5mm）

6.顯微硬度計：WilsonTukon2500（載荷范圍10gf-50kgf，壓頭維氏/努氏）

7.拉曼光譜儀：HoribaLabRAMHR（光譜分辨率0.5cm?1，激光波長532nm）

8.透射電子顯微鏡：JEOLJEM-2200FS（點分辨率0.19nm，加速電壓200kV）

9.四探針電阻率儀：LucasLabsPro4（電流范圍0.1μA-100mA，自動掃描）

10.熱分析系統(tǒng)：TAInstrumentsSDTQ600（TG-DSC同步，溫度精度±0.1°C）

11.原子力顯微鏡：BrukerDimensionIcon（掃描范圍90μm，力分辨率pN級）

12.電化學工作站：CHI760E（頻率范圍10μHz-1MHz，電位精度0.1mV）

13.粒度分析儀：MalvernMastersizer3000（測量范圍0.01-3500μm，激光衍射）

14.紫外線可見分光光度計：ShimadzuUV-2700（波長范圍190-1400nm，帶寬0.1nm）

15.氣體色譜質譜儀：Agilent8890GC/5977BMS（檢測限ppb級，柱溫-40-450°C）

北京中科光析科學技術研究所【簡稱：中析研究所】

報告：可出具第三方檢測報告(電子版/紙質版)。

檢測周期：7~15工作日，可加急。

資質：旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質報告。

標準測試：嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試：支持定制化試驗方案。

售后：報告終身可查，工程師1v1服務。

中析儀器 資質