高純硅檢測摘要:高純硅檢測是半導體及光伏產(chǎn)業(yè)的質(zhì)量控制核心,重點檢測純度(總雜質(zhì)<1ppb)、關鍵參數(shù)包括金屬雜質(zhì)(Fe、Al等≤0.1ppb)、電阻率(0.001-1000Ω·cm)、晶體缺陷密度(位錯<10/cm2)。檢測對象主要為單晶和多晶硅材料,采用光譜、電學及表面分析技術,確保材料適用于集成電路和太陽能電池制造。
參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。
注意:因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。
物理性能檢測:
1.單晶硅:用于半導體晶圓,檢測晶格缺陷及電阻率均勻性
2.多晶硅:光伏材料,側重雜質(zhì)分布及電學性能一致性
3.硅片:切割后產(chǎn)品,重點檢測表面完整性及厚度公差
4.硅粉:粉末形態(tài),檢測粒徑分布(D50=10-100μm)及污染物殘留
5.硅錠:鑄造塊體,檢測內(nèi)部氣泡缺陷及熱應力裂紋
6.太陽能級硅:光伏應用材料,關注光生載流子壽命≥100μs
7.電子級硅:集成電路基材,檢測微污染(重金屬≤0.1ppb)
8.摻雜硅:含硼/磷摻雜劑,檢測摻雜濃度精度(±0.001%)
9.硅薄膜:涂層材料,厚度均勻性(±5nm)及附著強度
10.回收硅:再生材料,重金屬殘留(如鉛≤0.05ppm)及有機雜質(zhì)清除率
國際標準:
1.電感耦合等離子體質(zhì)譜儀:型號ICP-MS-7900(檢測限0.001ppb,分辨率0.1amu)
2.傅里葉變換紅外光譜儀:型號FTIR-NEXUS(波數(shù)范圍400-4000cm?1,精度±0.01cm?1)
3.掃描電子顯微鏡:型號SEM-SU8000(分辨率1nm,加速電壓0.5-30kV)
4.原子力顯微鏡:型號AFM-Dimension(掃描范圍100μm×100μm,Z軸分辨率0.1nm)
5.四探針測試儀:型號Pro4-400(電阻率范圍0.001-1000Ω·cm,精度±0.2%)
6.X射線衍射儀:型號XRD-D8(角度范圍5-90°,精度±0.0001°)
7.氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀:型號GC-MS-7890(檢測限0.01ppm,柱溫范圍40-450°C)
8.激光粒度分析儀:型號LA-950(粒徑范圍0.01-3000μm,精度±1%)
9.差示掃描量熱儀:型號DSC-850(溫度范圍-150-600°C,靈敏度0.1μW)
10.表面輪廓儀:型號Profilometer-P7(粗糙度測量Ra0.001-100μm,精度±0.5%)
11.紫外-可見分光光度計:型號UV-2600(波長范圍190-900nm,帶寬0.1nm)
12.熱導率測定儀:型號TC-3000(測量范圍0.1-500W/m·K,誤差±1%)
13.力學試驗機:型號UTM-600(載荷0.01-100kN,應變速率0.001-500mm/min)
14.霍爾效應測試系統(tǒng):型號HMS-5000(載流子濃度10?-1021cm?3,磁場范圍0-1.5T)
15.潔凈度粒子計數(shù)器:型號PC-200(粒徑通道0.1-10μm,流量28.3L/min)
報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。
檢測周期:7~15工作日,可加急。
資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。
標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。
非標測試:支持定制化試驗方案。
售后:報告終身可查,工程師1v1服務。
中析高純硅檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師
2024-08-24
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