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高純硅檢測

2025-06-11 關鍵詞:高純硅測試方法,高純硅測試儀器,高純硅測試標準 相關:
高純硅檢測

高純硅檢測摘要:高純硅檢測是半導體及光伏產(chǎn)業(yè)的質(zhì)量控制核心,重點檢測純度(總雜質(zhì)<1ppb)、關鍵參數(shù)包括金屬雜質(zhì)(Fe、Al等≤0.1ppb)、電阻率(0.001-1000Ω·cm)、晶體缺陷密度(位錯<10/cm2)。檢測對象主要為單晶和多晶硅材料,采用光譜、電學及表面分析技術,確保材料適用于集成電路和太陽能電池制造。

參考周期:常規(guī)試驗7-15工作日,加急試驗5個工作日。

注意:因業(yè)務調(diào)整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個人除外)。

檢測項目

物理性能檢測:

  • 密度測定:3.23g/cm3(參照ISO1183)
  • 硬度測試:維氏硬度≥1000HV(GB/T4340.1)
  • 熱膨脹系數(shù):2.6×10??/K(ASTME228)
化學成分檢測:
  • 主元素分析:硅含量≥99.9999wt%(GB/T24582)
  • 氧碳含量:氧≤1ppm、碳≤0.1ppm(ISO15349)
雜質(zhì)檢測:
  • 金屬雜質(zhì):鐵≤0.01ppb、鋁≤0.05ppb(ASTMF1724)
  • 有機雜質(zhì):總烴類≤0.1ppm(參照SEMIMF1726)
電學性能檢測:
  • 電阻率:0.001-1000Ω·cm(±0.5%)(GB/T1551)
  • 載流子濃度:1×101?-1×102?cm?3(ASTMF723)
光學性能檢測:
  • 透光率:≥90%@633nm(ISO13468)
  • 反射率:≤10%(ASTME903)
表面性能檢測:
  • 粗糙度:Ra≤0.1μm(ISO4287)
  • 缺陷密度:微裂紋≤5/cm2(SEMIM7)
結構性能檢測:
  • 晶格常數(shù):5.43?(±0.001?)(ISO20203)
  • 晶體取向:<100>偏差≤0.5°(GB/T12966)
純度檢測:
  • 總雜質(zhì)含量:≤1ppb(ASTMF1392)
  • 硼磷濃度:硼≤0.01ppb、磷≤0.02ppb(ISO14706)
熱性能檢測:
  • 熱導率:150W/m·K(ASTME1461)
  • 熔點測定:1414°C(±1°C)(GB/T14235)
機械性能檢測:
  • 抗彎強度:≥100MPa(ISO14704)
  • 斷裂韌性:KIC≥1.0MPa·m1/2(ASTME399)

檢測范圍

1.單晶硅:用于半導體晶圓,檢測晶格缺陷及電阻率均勻性

2.多晶硅:光伏材料,側重雜質(zhì)分布及電學性能一致性

3.硅片:切割后產(chǎn)品,重點檢測表面完整性及厚度公差

4.硅粉:粉末形態(tài),檢測粒徑分布(D50=10-100μm)及污染物殘留

5.硅錠:鑄造塊體,檢測內(nèi)部氣泡缺陷及熱應力裂紋

6.太陽能級硅:光伏應用材料,關注光生載流子壽命≥100μs

7.電子級硅:集成電路基材,檢測微污染(重金屬≤0.1ppb)

8.摻雜硅:含硼/磷摻雜劑,檢測摻雜濃度精度(±0.001%)

9.硅薄膜:涂層材料,厚度均勻性(±5nm)及附著強度

10.回收硅:再生材料,重金屬殘留(如鉛≤0.05ppm)及有機雜質(zhì)清除率

檢測方法

國際標準:

  • ASTMF1724-18硅中金屬雜質(zhì)電感耦合等離子體質(zhì)譜法
  • ISO14644-1:2015潔凈室懸浮粒子濃度測試
  • SEMIMF1726-1109硅有機污染物氣相色譜分析
國家標準:
  • GB/T24582-2009多晶硅化學分析方法
  • GB/T1551-2021半導體硅單晶電阻率測試
  • GB/T12966-2008硅晶體X射線衍射定向方法
方法差異說明:ASTM電阻率測試采用四點探針法,精度±0.2%;GB標準使用范德堡法,精度±0.5%。ISO潔凈度測試涵蓋0.1-5μm粒子,GB側重0.3μm以上計數(shù)。

檢測設備

1.電感耦合等離子體質(zhì)譜儀:型號ICP-MS-7900(檢測限0.001ppb,分辨率0.1amu)

2.傅里葉變換紅外光譜儀:型號FTIR-NEXUS(波數(shù)范圍400-4000cm?1,精度±0.01cm?1)

3.掃描電子顯微鏡:型號SEM-SU8000(分辨率1nm,加速電壓0.5-30kV)

4.原子力顯微鏡:型號AFM-Dimension(掃描范圍100μm×100μm,Z軸分辨率0.1nm)

5.四探針測試儀:型號Pro4-400(電阻率范圍0.001-1000Ω·cm,精度±0.2%)

6.X射線衍射儀:型號XRD-D8(角度范圍5-90°,精度±0.0001°)

7.氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀:型號GC-MS-7890(檢測限0.01ppm,柱溫范圍40-450°C)

8.激光粒度分析儀:型號LA-950(粒徑范圍0.01-3000μm,精度±1%)

9.差示掃描量熱儀:型號DSC-850(溫度范圍-150-600°C,靈敏度0.1μW)

10.表面輪廓儀:型號Profilometer-P7(粗糙度測量Ra0.001-100μm,精度±0.5%)

11.紫外-可見分光光度計:型號UV-2600(波長范圍190-900nm,帶寬0.1nm)

12.熱導率測定儀:型號TC-3000(測量范圍0.1-500W/m·K,誤差±1%)

13.力學試驗機:型號UTM-600(載荷0.01-100kN,應變速率0.001-500mm/min)

14.霍爾效應測試系統(tǒng):型號HMS-5000(載流子濃度10?-1021cm?3,磁場范圍0-1.5T)

15.潔凈度粒子計數(shù)器:型號PC-200(粒徑通道0.1-10μm,流量28.3L/min)

北京中科光析科學技術研究所【簡稱:中析研究所】

報告:可出具第三方檢測報告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測周期:7~15工作日,可加急。

資質(zhì):旗下實驗室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報告。

標準測試:嚴格按國標/行標/企標/國際標準檢測。

非標測試:支持定制化試驗方案。

售后:報告終身可查,工程師1v1服務。

中析儀器 資質(zhì)

中析高純硅檢測 - 由于篇幅有限,僅展示部分項目,如需咨詢詳細檢測項目,請咨詢在線工程師

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